stk12c68-m
4-61
进入 循环 时间 是 变长 比 55ns.
图示 2
在下
显示 这 relationship 在 i
CC
和 进入 时间
为
读
循环. 所有 remaining 输入 是 assumed 至
循环, 和 电流 消耗量 是 给 为 所有 输入 在
CMOS
或者 ttl 水平.
图示 3
显示 这 一样 relation-
ship 为
写
循环. 当 e 是
高
, 这 碎片
消费 仅有的 备用物品 电流, 和 这些 plots 做
不 应用.
这 循环 时间 使用 在
图示 2
corresponds 至 这
长度 的 时间 从 这 后来的 的 这 last 地址 transi-
tion 或者 e going
低
至 这 早期 的 e going
高
或者 这
next 地址 转变. w 是 assumed 至 是
高
,
当 这 状态 的 g 做 不 matter. 额外的 电流
是 consumed 当 这 地址 线条 改变 状态
当 e 是 asserted. 这 循环 时间 使用 在
图示 3
corresponds 至 这 长度 的 时间 从 这 后来的 的 w 或者
e going
低
至 这 早期 的 w 或者 e going
高
.
这 整体的 平均 电流 描绘 用 这 部分 取决于
在 这 下列的 items: 1)
CMOS
或者 ttl 输入 水平; 2)
这 时间 在 这个 这 碎片 是 无能 (e
高
); 3)
这 循环 时间 为 accesses (e
低
); 4) 这 比率 的
读 至 写; 5) 这 运行 温度; 6) 这
V
CC
水平的; 和 7) 输出 加载.
写
运作 有 带去 放置 自从 这 大多数 recent
STORE
循环. 便条 那 如果 hsb 是 驱动 低 通过 外部
电路系统 和 非
写
s 有 带去 放置, 这 部分 将
安静的 是 无能 直到 hsb 是 允许 至 返回
高
.
软件 initiated
STORE
循环 是 执行 关于-
较少 的 whether 或者 不 一个
写
运作 有 带去
放置.
阻止 自动 stores
这
AutoStore
™ 函数 能 是 无能 在 这 fly 用
支持 hsb
高
和 一个 驱动器 有能力 的 sourcing
15ma 在 一个 voh 的 在 least 2.2v 作 它 将 有 至
overpower 这 内部的 拉-向下 设备 那 驱动
hsb 低 为 50ns 在 这 onset 的 一个
AutoStore
™.
当 这 stk12c68-m 是 连接 为
AutoStore
™operation (系统 v
CC
连接 至 v
CCX
和 一个 100uf 电容 在 v
CAP
) 和 v
CC
crosses
V
转变
在 这 方法 向下, 这 stk12c68 将 attempt
至 拉 hsb
低
; 如果 hsb doesn't 的确 得到 在下 v
IL
,
这 部分 将 停止 trying 至 拉 hsb
低
和 abort 这
AutoStore
™attempt.
低 平均 起作用的 电源
这 stk12c68-m 有 被 设计 至 绘制 signifi-
cantly 较少 电源 当 e 是
低
(碎片 使能) 但是 这
100
80
60
40
20
50 100 150 200
平均 起作用的 电流 (毫安)
0
TTL
CMOS
循环 时间 (ns)
100
80
60
40
20
50 100 150 200
平均 起作用的 电流 (毫安)
0
TTL
CMOS
循环 时间 (ns)
1
28
26
V
V
HSB
CAP CCX
V
SS
14
0.1uf
绕过
100uF
± 20%
+
电源
供应
10k ohms
(optional)
nvSRAM
便条: 典型 在 25
°
C
图示 1
图式 图解
图示 2
I
CC
(最大值) 读
图示 3
I
CC
(最大值) 写
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