3213
和
3214
微小功率,
过激-敏感的
通道-效应 switches
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4
电的 特性: 除非 否则 指出
在 运行 电压 和 温度 范围.
限制
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
运作 点 B
OPS
南 柱子 至 打烙印 一侧 – 42 70 G
B
OPN
北 柱子 至 打烙印 一侧 -70 -48 – G
释放 点 B
RPS
南 柱子 至 打烙印 一侧 10 32 – G
B
RPN
北 柱子 至 打烙印 一侧 – -38 -10 G
Hysteresis B
hys
|B
OPx
- b
RPx
|–10–G
注释: 1. 作使用 here, 负的 通量 densities 是 定义 作 较少 比 零 (algebraic convention) 和 -50 g 是 较少 比 +10 g.
2. b
OPx
= 运作 要点 (输出 转变 在); b
RPx
= 释放 要点 (输出 转变 止).
3. 典型 数据 是 在 t
一个
= +25°c 和 v
DD
= 3.0 v 和 是 为 设计 信息 仅有的.
4. 1 高斯 (g) 是 exactly equal 至 0.1 millitesla (mt).
有磁性的 特性: 在 运行 电压 和 温度 范围.
限制
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 范围 V
DD
运行
1)
2.4 3.0 5.5 V
输出 泄漏 电流 I
止
V
输出
= 5.5 v, b
RPN
< b < b
RPS
– <1.0 1.0 µA
输出 在 电压 V
输出
I
输出
= 1 毫安, v
DD
= 3.0 v – 100 300 mV
awake 时间 t
awake
–6090µs
时期 t
时期
A3213xx – 240 360 µs
A3214xx – 60 90 ms
职责 循环 d.c. A3213xx – 25 – %
A3214xx – 0.10 – %
chopping 频率 f
C
– 340 – kHz
供应 电流 I
dd(en)
碎片 awake (使能) – – 2.0 毫安
I
dd(dis)
碎片 asleep (无能) – – 8.0 µA
I
dd(avg)
A3213xx–460
850
µ一个
A3214xx–11
22
µ一个
静电释放, 人 身体 模型 – 每 cdf-aec-q100-002 5.0 – – kV
静电释放, 机器 模型 – 每 jesd22-a115 350 – – V
注释: 1.运作 和 释放 点 将 相异 和 供应 电压.
2. b
OPx
= 运作 要点 (输出 转变 在); b
RPx
= 释放 要点 (输出 转变 止).
3. 典型 数据 是 在 t
一个
= +25°c 和 v
DD
= 3.0 v 和 是 为 设计 信息 仅有的.