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2sd667, 2sd667a
4
集电级 电流  i
C
(毫安)
根基 至 发射级 饱和 电压  v
是(sat)
(v)
集电级 至 发射级 饱和 电压  v
ce(sat)
(v)
1.2
I
C
= 10 i
B
脉冲波
ta = –25
°
C
ta = –25
°
C
25
25
75
75
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
1 10 100 1,0003 30 300
V
是(sat)
V
ce(sat)
饱和 电压
vs. 集电级 电流
集电级 电流  i
C
(毫安)
增益 带宽 产品
vs. 集电级 电流
增益 带宽 产品  f
T
(mhz)
240
200
160
120
80
40
0
10 30 100 300 1,000
V
CE
= 5 v
集电级 输出 电容 vs.
集电级 至 根基 电压
集电级 至 根基 电压  v
CB
(v)
集电级 输出 电容  c
ob
(pf)
f = 1 mhz
I
E
= 0
200
100
50
20
10
5
2
1 5 20 10021050

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2sd667, 2sd667a 4 集电级电流 i C (毫安) 根基至发射级饱和电压 v 是(sat) (v) 集电级至发射级饱和电压 v ce(sat) (v) 1.2 I C = 10 i B 脉冲波 ta = –25 ° C ta = –25 ° C 25 25 75 75 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 1 10 100 1,0003 30 300 V 是(sat) V ce(sat) 饱和电压 vs. 集电级电流集电级电流 i C (毫安) 增益带宽产品 vs. 集电级电流增益带宽产品 f T (mhz) 240 200 160 120 80 40 0 10 30 100 300 1,000 V CE = 5 v 集电级输出电容 vs. 集电级至根基电压集电级至根基电压 v CB (v) 集电级输出电容 c ob (pf) f = 1 mhz I E = 0 200 100 50 20 10 5 2 1 5 20 10021050

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