at28c010 mil
1 megabit
(128k x 8)
Paged
CMOS
E
2
PROM
军队
特性
•
快 读 进入 时间 - 120 ns
•
自动 页 写 运作
内部的 地址 和 数据 latches 为 128-字节
内部的 控制 计时器
•
快 写 循环 时间
页 写 循环 时间 - 10 ms 最大
1 至 128-字节 页 写 运作
•
低 电源 消耗
80 毫安 起作用的 电流
300
µ
一个 cmos 备用物品 电流
•
硬件 和 软件 数据 保护
•
数据 polling 为 终止 的 写 发现
•
高 可靠性 cmos 技术
忍耐力: 10
4
或者 10
5
循环
数据 保持: 10 年
•
单独的 5v
±
10% 供应
•
cmos 和 ttl 兼容 输入 和 输出
•
电子元件工业联合会 批准 字节-宽 引脚
描述
这 at28c010 是 一个 高-效能 用电气 可擦掉的 和 可编程序的 读
仅有的 记忆. 它的 一个 megabit 的 记忆 是 有组织的 作 131,072 words 用 8 位.
制造的 和 atmel’s 先进的 nonvolatile cmos 技术, 这 设备 提供
(持续)
cerdip, flatpack
顶 视图
管脚 名字 函数
a0 - a16 地址
CE 碎片 使能
OE 输出 使能
我们 写 使能
i/o0 - i/o7 数据 输入/输出
NC 非 连接
管脚 配置
44 lcc
顶 视图
32 lcc
顶 视图
PGA
顶 视图
0353C
at28c010 mil
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