HYB 5116(7)400bj-50/-60
HYB 3116(7)400bj/bt-50/-60
4M
×
4 DRAM
半导体 组 2 1998-10-01
这 hyb 5(3)116(7)400 是 16 mbit 动态 rams 为基础 在 消逝 revisions “g” &放大; “f” 和 有组织的
作 4 194 304 words 用 4-位. 这 hyb 5(3)116(7)400bj/bt 运用 一个 submicron cmos 硅
门 处理 技术, 作 好 作 先进的 电路 技巧 至 提供 宽 运行 margins,
两个都 内部 和 为 这 系统 用户. 多路复用 地址 输入 准许 这 hyb 5(3)116(7)400
至 是 packaged 在 一个 标准 soj-26/24 和 tsopii-26/24 塑料 包装 和 300 mil 宽度.
这些 包装 提供 高 系统 位 densities 和 是 兼容 和 commonly 使用
自动 测试 和 嵌入 设备.
订货 信息
类型 订货 代号 包装 描述
2k-refresh 版本
hyb 5117400bj-50 q67100-q1086 p-soj-26/24-1 300 mil 5 v 50 ns fpm-dram
hyb 5117400bj-60 q67100-q1087 p-soj-26/24-1 300 mil 5 v 60 ns fpm-dram
hyb 3117400bj-50 在 要求 p-soj-26/24-1 300 mil 3.3 v 50 ns fpm-dram
hyb 3117400bj-60 在 要求 p-soj-26/24-1 300 mil 3.3 v 60 ns fpm-dram
4k-refresh 版本
hyb 5116400bj-50 q67100-q1049 p-soj-26/24-1 300 mil 5 v 50 ns fpm-dram
hyb 5116400bj-60 q67100-q1050 p-soj-26/24-1 300 mil 5 v 60 ns fpm-dram
hyb 3116400bj-50 在 要求 p-soj-26/24-1 300 mil 3.3 v 50 ns fpm-dram
hyb 3116400bj-60 在 要求 p-soj-26/24-1 300 mil 3.3 v 60 ns fpm-dram
hyb 3116400bt-50 在 要求 p-tsopii-26/24-1 300 mil 3.3 v 50 ns fpm-dram
hyb 3116400bt-60 在 要求 p-tsopii-26/24-1 300 mil 3.3 v 60 ns fpm-dram
: 点此下载
