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HYB 5116(7)400bj-50/-60
HYB 3116(7)400bj/bt-50/-60
4M
×
4 DRAM
半导体 组 4 1998-10-01
块 图解 为 hyb 5(3)116400 (4k-refresh)
SPB03455
&放大;
非.2 时钟
发生器
地址
Column
缓存区 (10)
控制
Refresh
Refresh
计数器 (12)
缓存区 (12)
行
地址
发生器
非.1 时钟
12
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
12
行
解码器
RAS
4096 x 1024 x 4
记忆 排列
4096
1024
x 4
sense 放大器
i/o gating
10
Column
解码器
缓存区
数据 在
数据 输出
缓存区
i/o1
4
4
OE
电压 向下
V
CC
V
CC
12
4
A9
(内部的)
发生器
CAS
我们
A10
i/o2
i/o3 i/o4
A11

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HYB 5116(7)400bj-50/-60 HYB 3116(7)400bj/bt-50/-60 4M × 4 DRAM 半导体组 4 1998-10-01 块图解为 hyb 5(3)116400 (4k-refresh) SPB03455 &放大; 非.2 时钟发生器地址 Column 缓存区 (10) 控制 Refresh Refresh 计数器 (12) 缓存区 (12) 行地址发生器非.1 时钟 12 10 A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 12 行解码器 RAS 4096 x 1024 x 4 记忆排列 4096 1024 x 4 sense 放大器 i/o gating 10 Column 解码器缓存区数据在数据输出缓存区 i/o1 4 4 OE 电压向下 V CC V CC 12 4 A9 (内部的) 发生器 CAS 我们 A10 i/o2 i/o3 i/o4 A11

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