HYB 5116(7)400bj-50/-60
HYB 3116(7)400bj/bt-50/-60
4M
×
4 DRAM
半导体 组 8 1998-10-01
电容
T
一个
= 0 至 70
°
c,
f
= 1 mhz
参数 标识 限制 值 单位
最小值 最大值
输入 电容 (a0 至 a11)
C
I1
–5pF
输入 电容 (ras, cas, 我们, oe)
C
I2
–7pF
i/o 电容 (i/o1 - i/o4)
C
IO
–7pF
交流 特性
5, 6
T
一个
= 0 至 70
°
c,
V
CC
= 5 v
±
10 % /
V
CC
= 3.3 V
±
0.3 v,
t
T
= 5 ns
参数 标识 限制 值 单位 便条
-50 -60
最小值 最大值 最小值 最大值
一般 参数
随机的 读 或者 写 循环 时间
t
RC
90 – 110 – ns
ras precharge 时间
t
RP
30 – 40 – ns
ras 脉冲波 宽度
t
RAS
50 10k 60 10k ns
cas 脉冲波 宽度
t
CAS
13 10k 15 10k ns
行 地址 建制 时间
t
ASR
0–0–ns
行 地址 支撑 时间
t
RAH
8 – 10 – ns
column 地址 建制 时间
t
ASC
0–0–ns
column 地址 支撑 时间
t
CAH
10 – 15 – ns
ras 至 cas 延迟 时间
t
RCD
18 37 20 45
ras 至 column 地址 延迟 时间
t
RAD
13 25 15 30 ns
ras 支撑 时间
t
RSH
13 15 – ns
cas 支撑 时间
t
CSH
50 60 – ns
cas 至 ras precharge 时间
t
CRP
5–5–ns
转变 时间 (上升 和 下降)
t
T
3 50 3 50 ns
7
refresh 时期 为 2k refresh 版本
t
REF
– 32 – 32 ms
refresh 时期 为 4k refresh 版本
t
REF
– 64 – 64 ms
读 循环
进入 时间 从 RAS
t
RAC
– 50 – 60 ns
8, 9
进入 时间 从 CAS
t
CAC
– 13 – 15 ns
8, 9
进入 时间 从 column 地址
t
AA
– 25 – 30 ns
8, 10
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