4-64
在-32063 绝对 最大 比率
[1]
绝对
标识 参数 单位 最大
V
EBO
发射级-根基 电压 V 1.5
V
CBO
集电级-根基 电压 V 11
V
CEO
集电级-发射级 电压 V 5.5
I
C
集电级 电流 毫安 40
P
T
电源 消耗
[2,3]
mW 150
T
j
接合面 温度
°
C 150
T
STG
存储 温度
°
C -65 至 150
热的 阻抗
[2]
:
θ
jc
= 370
°
c/w
注释:
1. 永久的 损坏 将 出现 如果
任何 的 这些 限制 是 超过.
2. T
挂载 表面
= 25
°
c.
3.
减额 在 2.7 mw/
°
c 为 t
C
> 94.5
°
c.
4. 150 mw 每 设备.
电的 规格, t
一个
= 25
°
C
标识 参数 和 测试 情况 单位 最小值 典型值 最大值
NF 噪音 图示; v
CE
= 2.7 v, i
C
= 5 毫安 f = 0.9 ghz dB 1.1
[2]
1.4
[2]
G
一个
有关联的 增益; v
CE
= 2.7 v, i
C
= 5 毫安 f = 0.9 ghz dB 12.5
[2]
14.5
[2]
h
FE
向前 电流 转移 比率; v
CE
= 2.7 v, i
C
= 5 毫安 — 50 270
I
CBO
集电级 截止 电流; v
CB
= 3 v
µ
一个 0.2
I
EBO
噪音 图示; v
EB
= 1 v
µ
一个 1.5
注释:
1. 所有 数据 是 每 单独的 晶体管.
2. 测试 电路, 图示 1. 号码 反映 设备 效能 de-embedded 从 电路 losses. 输入 丧失 = 0.2 db;
output␣ 丧失 = 0.3␣ db.
w = 20
l = 60
w = 10
l = 450
w = 10
l = 100
测试 电路
板 材料 = 0.047 getek (
ε
= 4.3)
维度 在 毫英寸
不 至 规模
50
Ω
50
Ω
图示 1. 测试 电路 为 噪音 图示 和 有关联的 增益.
这个 电路 是 一个 compromise 相一致 在 最好的 噪音 图示, 最好的 增益,
稳固, 和 一个 实际的 synthesizable 相一致.
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