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资料编号:810584
资料名称:
BS62LV1024SI
文件大小: 383K
说明
:
介绍
:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit
: 点此下载
2
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6
7
8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
修订 2.2
april 2001
6
r0201-bs62lv1024
电子元件工业联合会
参数
名字
参数
名字
描述
bs62lv1024-70
最小值 典型值 最大值
单位
t
AVAX
写 循环 时间
t
WC
70
--
--
ns
t
E1LWH
t
CW
碎片 选择 至 终止 的 写
70
--
--
ns
t
AVWL
t
作
地址 设置 向上 时间
0----
ns
t
AVWH
t
AW
地址 有效的 至 终止 的 写
70
--
--
ns
t
WLWH
t
WP
写 脉冲波 宽度
50
--
--
ns
t
WHAX
t
WR1
写 恢复 时间
(ce1 , 我们)
0----
ns
t
E2LAX
t
WR2
写 恢复 时间
(ce2)
0----
ns
t
WLOZ
t
WHZ
写 至 输出 在 高 z
0--30
ns
t
DVWH
t
DW
数据 至 写 时间 overlap
30
--
--
ns
t
WHDX
t
DH
数据 支撑 从 写 时间
0----
ns
t
GHOZ
t
OHZ
输出 使不能运转 至 输出 在 高 z
0--30
ns
t
WHQX
t
OW
终止 的 写 至 输出 起作用的
5----
ns
交流 电的 特性
( ta = 0
o
c 至 + 70
o
c, vcc=3.0v )
写 循环
切换 波形 (写 循环)
写 cycle1
(1)
BSI
BS62LV1024
t
WR1
t
WC
(3)
t
CW
(11)
(11)
t
CW
(2)
t
WP
t
AW
t
OHZ
(4,10)
t
作
t
WR2
(3)
t
DH
t
DW
D
在
D
输出
我们
CE2
CE1
OE
地址
(5)
(5)
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