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资料编号:810656
 
资料名称:BS62LV2006STIP55
 
文件大小: 321K
   
说明
 
介绍:
Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 256K X 8 bit
 
 


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r0201-bs62lv2006
修订 1.1
jan. 2004
3
BSI
标识 PARAMETER 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值 单位
V
DR
vcc 为 数据 保持
CE1
vcc - 0.2v 或者 ce2
0.2v,
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
1.5 -- -- V
I
CCDR
(3)
数据 保持 电流
CE1
vcc - 0.2v 或者 ce2
0.2v,
V
vcc - 0.2v 或者 v
0.2v
-- 0.1 1.0 uA
t
CDR
碎片 deselect 至 数据
保持 时间
0 -- -- ns
t
R
运作 恢复 时间
看 保持 波形
T
RC
(2)
-- -- ns
1. 典型 特性 是 在 ta = 25
o
c. 2. fmax = 1/t
RC
.
3. 这些 是 绝对 值 和 遵守 至 设备 地面 和 所有 overshoots 预定的 至 系统 或者 tester 注意 是 包含.
4. i
ccs
b1_最大值.
是 3ua/10ua 在 Vcc=3V/5v 和 t
一个
=70
o
c. 5. icc_
最大值
是 23ma(@3v)/55ma(@5v) 下面 55ns 运作.
数据 保持 特性
( ta = -40
o
c 至 + 85
o
c )
1. vcc = 1.5v, T
一个
= + 25
O
C
2. t
RC
= 读 循环 时间
3. i
cc
dr_最大值.
是 0.7ua 在 t
一个
=70
o
c.
直流 电的 特性
( ta = -40
o
c 至 + 85
o
c )
低 v
CC
数据 保持 波形 (1)
( ce1 控制 )
CE1
数据 保持 模式
Vcc
t
CDR
Vcc
t
R
V
IH
V
IH
Vcc
V
DR
1.5v
ce1 vcc - 0.2v
低 v
CC
数据 保持 波形 (2)
( ce2 控制 )
CE2
数据 保持 模式
Vcc
t
CDR
Vcc
t
R
V
IL
V
IL
Vcc
V
DR
1.5v
CE2
0.2v
PARAMETER
名字
PARAMETER 测试 情况 最小值 典型值
(1)
最大值
单位
vcc=3.0v
V
IL
有保证的 输入 低
电压
(3)
vcc=5.0v
-0.5 -- 0.8 V
vcc=3.0v
2.0 --
V
IH
有保证的 输入 高
电压
(3)
vcc=5.0v
2.2 --
V
cc+
0.3
V
I
IL
输入 泄漏 电流
vcc = 最大值, v
= 0v 至 vcc
-- --1 uA
I
LO
输出 泄漏 电流
vcc = 最大值, ce1 = v
IH
或者 ce2=v
IL
或者 oe = v
IH
, v
i/o
= 0v 至 vcc
-- --1 uA
vcc=3.0v
V
OL
输出 低 电压 vcc = 最大值, i
OL
= 2.0ma
vcc=5.0v
-- -- 0.4 V
vcc=3.0v
V
OH
输出 高 电压 vcc = 最小值, i
OH
= -1.0ma
vcc=5.0v
2.4 -- -- V
70ns
vcc=3.0v
-- -- 18
I
CC
(5)
运行 电源 供应
电流
vcc=最大值,ce1=v
IL
, ce2=v
IH
I
DQ
= 0ma, f = fmax
(2)
70ns vcc=5.0v
-- -- 45
毫安
vcc=3.0v
-- -- 0.5
I
CCSB
备用物品 电流-ttl
vcc = 最大值, ce1 = v
IH
或者 ce2=v
IL
I
DQ
= 0ma
vcc=5.0v
-- -- 1.0
毫安
vcc=3.0v
-- 0.3 5
I
CCSB1
(4)
备用物品 电流-cmos
vcc = 最大值, ce1
vcc-0.2v 或者
CE2
0.2v ;v
vcc - 0.2v 或者
V
0.2v
vcc=5.0v
-- 1.0 30
uA
BS62LV2006
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