SLOS359F− march 2001 − 修订 将 2004
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相等的 schematics 的 输入 和 输出
Next
平台
缓存区
输出
V
S
缓存区
输入
地
内部的 至
BUF11702
缓存区
输出
缓存区
输入
V
S
next 平台
地
内部的 至
BUF11702
输入 平台 的 缓存区
buf11702: 1 至 5 和 v
COM
buf07702: 1 至 3 和 v
COM
输入 平台 的 缓存区
buf11702: 6 至 10
buf07702: 4 至 6
Previous
平台
V
S
缓存区
输出
Previous
平台
反相的
输入
地
输出 平台 的 所有 缓存区
电的 特性
在运行 自由-空气 温度 范围, v
DD
= 4.5v 至 16v, t
一个
= 25
°
c, 除非 否则 指出.
参数 测试 情况 T
一个
最小值 典型值 最大值 单位
25
°
C 1.5 12
V
IO
输入 补偿 电压 V
I
= v
DD
/2, r
S
= 50
Ω
全部
范围
(1)
15
mV
25
°
C 1
I
IB
输入 偏差 电流 V
I
= v
DD
/2
全部
范围
(1)
200
pA
25
°
C 62 80
k
SVR
供应 电压 拒绝 比率 (
∆
V
DD
/
∆
V
IO
)v
DD
= 4.5 v 至 16 v
全部
范围
(1)
60
dB
缓存区 增益 V
I
= 5 v 25
°
C 0.9995 v/v
bw_3db 3db 带宽
gamma buffers
V
COM
缓存区
C
L
= 100 pf, r
L
= 2 k
Ω
25
°
C
1
0.6
MHz
SR 回转 比率
gamma buffers
V
COM
缓存区
C
L
= 100 pf, r
L
= 2 k
Ω
V
在
= 2v 至 8v
25
°
C
1
0.7
v/
µ
s
瞬时 加载 规章制度
I
O
= 0 至
±
5 毫安, v
O
= 5 v
C
L
= 100 pf tt = 0.1
µ
s
25
°
C 900 mV
瞬时 加载 回馈 看 图示 2 25
°
C 160 mV
t
S
(i−sink) 安排好 时间-电流
I
O
= 0 至 −5 毫安 v
O
= 5 v
C
L
= 100 pf r
L
= 2 k
Ω
全部
范围
(1)
1
µ
s
t
S
(i−src) 安排好 时间-电流
I
O
= 0 至 +5 毫安 v
O
= 5 v
C
L
= 100 pf r
L
= 2 k
Ω
全部
范围
(1)
2
µ
s
t
S
安排好 时间-
电压
gamma buffers
V
I
= 4.5 v 至 5.5 v 0.1%
V
I
= 5.5 v 至 4.5 v 0.1%
25
°
C
6
4.6
µ
s
t
S
安排好 时间-
电压
V
COM
缓存区
V
I
= 4.5 v 至 5.5 v 0.1%
V
I
= 5.5 v 至 4.5 v 0.1%
25
°
C
5.8
5.6
µ
s
V
n
噪音 电压
gamma buffers
V
COM
缓存区
V
I
= 5 v f = 1 khz 25
°
C
45
40
nv/hz
串扰 V
IP−P
= 6 v, f = 1 khz 25
°
C 85 dB
(1)
全部 范围 是 0
°
c 至 85
°
c.
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