D3D7_FDH6626B_集成电路资料查询网

©2004 仙童 半导体 公司 d3d7_fdh6626b, rev. a1
d3d7_fdh6626b
典型 特性
(持续)
图示 7. 总的 电容 图示 8. 反转 恢复 时间 vs
反转 恢复 电流
图示 9. 平均 调整的 电流(i
f(av)
) 相比
包围的 温度(t
一个
)
图示 10. 电源 减额 曲线
02468101214
0.75
0.80
0.85
0.90
T
一个
= 25
o
C
总的 电容 (pf)
反转 电压 (v)
10 20 30 40 50 60
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
ta = 25
o
C
反转 恢复 时间, t
rr
[ns]
反转 恢复 电流, i
rr
[mA]
0 50 100 150
0
100
200
300
400
500
I
F
(
一个
V
)
-
一个
V
E
R
一个
G
E
R
E
C
T
I
F
I
E
D
C
U
R
R
E
N
T
-
m
一个
电流 (毫安)
包围的 温度 (
o
c)
0 50 100 150 200
0
100
200
300
400
500
做-35
sot-23
电源 消耗, p
D
[mW]
温度 [
o
C]

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©2004 仙童半导体公司 d3d7_fdh6626b, rev. a1 d3d7_fdh6626b 典型特性 (持续) 图示 7. 总的电容图示 8. 反转恢复时间 vs 反转恢复电流图示 9. 平均调整的电流(i f(av) ) 相比包围的温度(t 一个 ) 图示 10. 电源减额曲线 02468101214 0.75 0.80 0.85 0.90 T 一个 = 25 o C 总的电容 (pf) 反转电压 (v) 10 20 30 40 50 60 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 ta = 25 o C 反转恢复时间, t rr [ns] 反转恢复电流, i rr [mA] 0 50 100 150 0 100 200 300 400 500 I F ( 一个 V ) - 一个 V E R 一个 G E R E C T I F I E D C U R R E N T - m 一个电流 (毫安) 包围的温度 ( o c) 0 50 100 150 200 0 100 200 300 400 500 做-35 sot-23 电源消耗, p D [mW] 温度 [ o C]

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