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资料编号:823752
 
资料名称:HCPL-817-500
 
文件大小: 205K
   
说明
 
介绍:
Phototransistor Optocoupler High Density Mounting Type
 
 


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图示 1. 向前 电流 vs. 温度. 图示 2. 集电级 电源 消耗 vs.
温度.
图示 3. 集电级-发射级 饱和 电压
vs. 向前 电流.
I
F
– 向前 电流 – 毫安
0
T
一个
– 包围的 温度 – °c
75 125
50
25
10
40
0 50 100-30
60
30
20
P
C
– 集电级 电源 消耗 – mw
0
T
一个
– 包围的 温度 – °c
100
50
200
150
75 125250 50 100-30
0
I
F
– 向前 电流 – 毫安
14 20
2
60
1
3
4
5
6
V
ce(sat.)
– 集电级-emitter
饱和 电压 – v
T
一个
= 25°c
I
C
= 0.5 毫安
I
C
= 1 毫安
I
C
= 3 毫安
I
C
= 6 毫安
I
C
= 7 毫安
24 81012 1618
图示 4. 向前 电流 vs. 向前 电压. 图示 5. 电流 转移 比率 vs. 向前
电流.
图示 6. 集电级 电流 vs. 集电级-
发射级 电压.
图示 7. 相关的 电流 转移 比率 vs.
温度.
图示 8. 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 温度.
图示 9. 集电级 dark 电流 vs.
温度.
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
0
V
CE
– 集电级-发射级 电压 – v
69
40
20
50
30
P
C
(最大值.)
T
一个
= 25°c
I
F
= 30 毫安
I
F
= 20 毫安
I
F
= 10 毫安
I
F
= 5 毫安
30
10
I
F
= 20 毫安
I
F
= 10 毫安
12 45 78
相关的 电流 转移 比率 – %
0
100
50
150
V
CE
= 5 v
I
F
= 5 毫安
T
一个
– 包围的 温度 – °c
75250 50 100-30
V
ce(sat.)
– 集电级-emitter
饱和 电压 – v
0
0.10
0.02
0.16
I
C
= 1 毫安
I
F
= 20 毫安
T
一个
– 包围的 温度 – °c
75250 50 100-25
0.04
0.06
0.08
0.12
0.14
I
CEO
– 集电级 dark 电流 – 一个
T
一个
– 包围的 温度 – °c
V
CE
= 20 v
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
75250 50 100-25
10
-5
I
F
– 向前 电流 – 毫安
1
V
F
– 向前 电压 – v
2.0 3.0
10
5
500
1.00
T
一个
= 75°c
0.5 1.5 2.5
2
20
50
100
200
T
一个
= 50°c
T
一个
= 25°c
T
一个
= 0°c
T
一个
= -25°c
0
I
F
– 向前 电流 – 毫安
10 50
40
200
21
20
60
120
140
160
ctr – 电流 转移 比率 – %
V
CE
= 5 v
T
一个
= 25°c
80
100
180
520
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