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图 8.
最大 safe 运行 范围
图 6.
典型 门 承担 vs.
门-至-源 电压
图 5.
典型 电容 vs.
流-至-源 电压
图 7.
典型 源-流 二极管
向前 电压
0
200
400
600
800
1 10 100
c, 电容 (pf)
DS
V, drain-至-source voltage (v)
一个
V=0V ,         f =1MHz
C=C+ c,   c     sHORTED
C=C
C=C+ c
GS
是s
gsgdds
rss
gd
oss        ds
gd
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0 4 8 12 16 20
Q, total g一个teCharge (nc)
G
v     , gate-至-source voltage (v)
GS
一个
为 测试 电路
看 图示 13
V= 44V
V= 28V
i    =11一个
DS
DS
D
1
10
100
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
t  = 25°c
J
V=0V
GS
V, source-至-drain voltage (v)
i     , reverse drain c urrent (一个)
SD
SD
一个
t  = 175°c
J
1
10
100
1000
1 10 100
v     , drain-至-源 voltage (v)
DS
i   , 流 current (一个)
OPE限定在 这个是一个限制D
BYR
D
ds(在)
10µs
100µs
1ms
10ms
一个
T= 25°C
t     = 175°c
Sin
gle pulse
C
J

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irlr/u024n 4 www.irf.com 图 8. 最大 safe 运行范围图 6. 典型门承担 vs. 门-至-源电压图 5. 典型电容 vs. 流-至-源电压图 7. 典型源-流二极管向前电压 0 200 400 600 800 1 10 100 c, 电容 (pf) DS V, drain-至-source voltage (v) 一个 V=0V , f =1MHz C=C+ c, c sHORTED C=C C=C+ c GS 是s gsgdds rss gd oss ds gd C iss C oss C rss 0 3 6 9 12 15 0 4 8 12 16 20 Q, total g一个teCharge (nc) G v , gate-至-source voltage (v) GS 一个为测试电路看图示 13 V= 44V V= 28V i =11一个 DS DS D 1 10 100 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 t = 25°c J V=0V GS V, source-至-drain voltage (v) i , reverse drain c urrent (一个) SD SD 一个 t = 175°c J 1 10 100 1000 1 10 100 v , drain-至-源 voltage (v) DS i , 流 current (一个) OPE限定在这个是一个限制D BYR D ds(在) 10µs 100µs 1ms 10ms 一个 T= 25°C t = 175°c Sin gle pulse C J

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