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特性
国际的 标准 包装
minibloc,
和 aluminium 渗氮
分开
低 r
ds (在)
HDMOS
TM
处理
坚毅的 polysilicon 门 cell 结构
unclamped inductive 切换 (uis)
评估
低 包装 电感
快 intrinsic 整流器
产品
直流-直流 转换器
电池 chargers
切换-模式 和 resonant-模式
电源 供应
直流 choppers
温度 和 lighting 控制
有利因素
容易 至 挂载
空间 savings
高 电源 密度
标识 测试 情况 典型的 值
(t
J
= 25
c, 除非 否则 指定)
最小值 典型值 最大值
V
DSS
V
GS
= 0 v, i
D
= 3 毫安 70 V
V
gh(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 8 毫安 2.0 4.0 V
I
GSS
V
GS
=
20 v
直流
, v
DS
= 0
200 nA
I
DSS
V
DS
= v
DSS
T
J
= 25
C 100
一个
V
GS
= 0 v T
J
= 125
C2mA
R
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 100a 4 m
脉冲波 测试, t
300
s,
职责 循环 d
2 %
标识 测试 情况 最大比率
V
DSS
T
J
= 25
c 至 150
C70V
V
DGR
T
J
= 25
c 至 150
c; r
GS
= 1 m
70 V
V
GS
持续的
20 V
V
GSM
瞬时
30 V
I
D25
T
C
= 25
c, 碎片 能力 340 一个
I
l(rms)
终端 电流 限制 100 一个
I
DM
T
C
= 25
c, 脉冲波 宽度 限制 用 t
JM
1360 一个
I
AR
T
C
= 25
C 200 一个
E
AR
T
C
= 25
C64mJ
E
作
T
C
= 25
C4J
dv/dt
I
S
I
DM
, di/dt
100 一个/
s, v
DD
V
DSS
, 5 v/ns
T
J
150
c, r
G
= 2
P
D
T
C
= 25
C 700 W
T
J
-55 ... +150
C
T
JM
150
C
T
stg
-55 ... +150
C
V
ISOL
50/60 hz, rms t = 1 最小值 2500 V~
I
ISOL
1 毫安 t = 1 s 3000 V~
M
d
挂载 torque 1.5/13 nm/lb.在.
终端 连接 torque 1.5/13 nm/lb.在.
重量
30 g
HiPerFET
TM
电源 mosfets
单独的 消逝 场效应晶体管
n-频道 增强 模式
avalanche 评估, 高 dv/dt, 低 t
rr
98547b (10/00)
也 源 终端 在 minibloc 能 是 使用
作 主要的 或者 kelvin 源
ixfn 340n07
V
DSS
= 70 V
I
D25
= 340 一个
R
ds(在)
= 4 m
t
rr
250ns
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