2SB1494
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
–120 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
–120 V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
–7 V
集电级 电流 I
C
–25 一个
集电级 顶峰 电流 I
c(顶峰)
–35 一个
集电级 电源 消耗 P
C
*
1
120 W
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
c 至 e 二极管 向前 电流 I
D
*
1
25 一个
便条: 1. 值 在 t
C
= 25
°
c.
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
–120 — — V I
C
= –0.1 毫安, i
E
= 0
集电级 至 发射级 损坏
电压
V
(br)ceo
–120 — — V I
C
= –25 毫安, r
是
=
∞
集电级 至 发射级 支持
电压
V
ceo(sus)
–120 — — V I
C
= –200 毫安, r
是
=
∞
发射级 至 根基 损坏
电压
V
(br)ebo
–7 — — V I
E
= –50 毫安, i
C
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
— — –10
µ
AV
CB
= –100 v, i
E
= 0
I
CEO
— — –10 V
CE
= –100 v, r
是
=
∞
直流 电流 转移 比率 h
FE1
2000 — 20000 V
CE
= –4 v, i
C
= –12 a*
1
h
FE2
500 — — V
CE
= –4 v, i
C
= –25 a*
1
集电级 至 发射级 饱和 V
ce(sat)1
— — –2.0 V I
C
= –12 一个, i
B
= –24 ma*
1
电压 V
ce(sat)2
— — –3.5 I
C
= –25 一个, i
B
= –250 ma*
1
根基 至 发射级 饱和 V
是(sat)1
— — –3.0 V I
C
= –12 一个, i
B
= –24 毫安
电压 V
是(sat)2
— — –4.5 I
C
= –25 一个, i
B
= –250 ma*
1
便条: 1. 脉冲波 测试.
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