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LTC1436一个
ltc1436-pll-一个/ltc1437a
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
这个 formula 有 一个 最大 在 v
在
= 2v
输出
, 在哪里
I
RMS
= i
输出
/2. 这个 简单的 worst-情况 情况 是 com-
monly 使用 为 设计 因为 甚至 重大的 deviations
做 不 提供 更 relief. 便条 那 电容 生产者’s
波纹 电流 比率 是 常常 为基础 在 仅有的 2000 小时
的 生命. 这个 制造 它 明智 至 更远 减额 这
电容, 或者 至 choose 一个 电容 评估 在 一个 高等级的
温度 比 必需的. 一些 电容 将 也 是
paralleled 至 满足 大小 或者 height (所需的)东西 在 这
设计. 总是 咨询 这 生产者 如果 那里 是 任何
question.
这 选择 的 c
输出
是 驱动 用 这 必需的 有效的
序列 阻抗 (等效串联电阻). 典型地, once 这 等效串联电阻 需要-
ment 是 satisified, 这 电容 是 足够的 为 过滤.
这 输出 波纹 (
∆
V
输出
) 是 近似 用:
∆∆
V I 等效串联电阻
fC
输出 L
输出
≈+
1
4
在哪里 f = 运行 频率, c
输出
= 输出 电容
和
∆
I
L
= 波纹 电流 在 这 inductor. 这 输出 波纹
是 最高的 在 最大 输入 电压 自从
∆
I
L
增加
和 输入 电压. 和
∆
I
L
= 0.4i
输出(最大值)
这 输出
波纹 将 是 较少 比 100mv 在 最大 v
在
, 假设:
C
输出
必需的 等效串联电阻 < 2r
SENSE
manufacturers 此类 作 nichicon, 联合的 chemicon 和
sanyo 应当 是 考虑 为 高 效能 通过-
孔 电容. 这 os-con 半导体 dielectric
电容 有 从 sanyo 有 这 最低 等效串联电阻 (大小)
产品 的 任何 铝 electrolytic 在 一个 somewhat
高等级的 价格. once 这 等效串联电阻 必要条件 为 c
输出
有 被
符合, 这 rms 电流 比率 一般地 far 超过 这
I
波纹(p-p)
必要条件.
在 表面 挂载 产品 多样的 电容 将
有 至 是 paralleled 至 满足 这 等效串联电阻 或者 rms 电流
处理 (所需的)东西 的 这 应用. 铝 elec-
trolytic 和 dry tantalum 电容 是 两个都 有 在
表面 挂载 配置. 在 这 情况 的 tantalum, 它 是
核心的 那 这 电容 是 surge 测试 为 使用 在
切换 电源 供应. 一个 极好的 选择 是 这 avx
tps 序列 的 表面 挂载 tantalums, 有 在 情况
heights ranging 从 2mm 至 4mm. 其它 电容 类型
在哪里
δ
是 这 温度 dependency 的 r
ds(在)
和 k
是 一个 常量 inversely related 至 这 门 驱动 电流.
两个都 mosfets 有 i
2
r losses 当 这 topside
n-频道 等式 包含 一个 额外的 期 为 transi-
tion losses, 这个 是 最高的 在 高 输入 电压. 为
V
在
< 20v 这 高 电流 效率 一般地 改进
和 大 mosfets, 当 为 v
在
> 20v 这 转变
losses 迅速 增加 至 这 要点 那 这 使用 的 一个 高等级的
R
ds(在)
设备 和 更小的 c
RSS
真实的 提供 高等级的
效率. 这 同步的 场效应晶体管 losses 是 greatest
在 高 输入 电压 或者 在 一个 短的 电路 当 这
职责 循环 在 这个 转变 是 nearly 100%. 谈及 至 这
foldback 电流 限制的 部分 为 更远 产品
信息.
这 期 (1 +
δ
) 是 一般地 给 为 一个 场效应晶体管 在 这
表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs 温度 曲线, 但是
δ
= 0.005/
°
c 能 是 使用 作 一个 approximation 为 低
电压 mosfets. c
RSS
是 通常地 指定 在 这 场效应晶体管
特性. 这 常量 k = 2.5 能 是 使用 至
估计 这 contributions 的 这 二 条款 在 这 主要的
转变 消耗 等式.
这 肖特基 二极管 d1 显示 在 图示 1 serves 二
目的. 在 持续的 同步的 运作, d1
conducts 在 这 dead-时间 在 这 传导 的
这 二 大 电源 mosfets. 这个 阻止 这 身体
二极管 的 这 bottom 场效应晶体管 从 turning 在 和 storing
承担 在 这 dead-时间, 这个 可以 费用 作 更 作
1% 在 效率. 在 低 电流 运作, d1 oper-
ates 在 conjunction 和 这 小 顶 场效应晶体管 至 提供
一个 效率高的 低 电流 输出 平台. 一个 1a 肖特基 是
一般地 一个 好的 compromise 为 两个都 regions 的 opera-
tion 预定的 至 这 相当地 小 平均 电流.
C
在
和 c
输出
选择
在 持续的 模式, 这 源 电流 的 这 顶
n-频道 场效应晶体管 是 一个 正方形的 波 的 职责 循环 v
输出
/
V
在
. 至 阻止 大 电压 过往旅客, 一个 低 等效串联电阻 输入
电容 sized 为 这 最大 rms 电流 必须 是
使用. 这 最大 rms 电容 电流 是 给 用:
CI
VVV
V
在 最大值
输出 在 输出
在
必需的 i
RMS
≈
−
()
[]
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