©2002 仙童 半导体 公司 isl9k1560g3 rev. c1
ISL9K1560G3
典型 效能 曲线
图示 1. 向前 电流 vs 向前 电压 图示 2. 反转 电流 vs 反转 电压
图示 3. t
一个
和 t
b
曲线 vs 向前 电流 图示 4. t
一个
和 t
b
曲线 vs di
F
/dt
图示 5. 最大 反转 恢复 电流 vs
向前 电流
图示 6. 最大 反转 恢复 电流 vs
dI
F
/dt
V
F
, 向前 电压 (v)
I
F
, 向前 电流 (一个)
30
25
20
0
0.5 1.0 1.25 2.0 2.25
175
o
C
25
o
C
100
o
C
125
o
C
150
o
C
15
10
5
0.75 1.5 1.75
10
V
R
, 反转 电压 (v)
I
R
, 反转 电流 (
µ
一个)
100
100 200 500 600400
1000
1
0.1
175
o
C
25
o
C
100
o
C
300
4000
75
o
C
150
o
C
125
o
C
I
F
, 向前 电流 (一个)
0
0
20
40
60
80
100
10 30
t, 恢复 时间 (ns)
t
b
在dI
F
/dt = 200a/µs, 500a/µs, 800a/µs
V
R
= 390v, t
J
= 125
°
C
5152025
t
一个
在 dI
F
/dt = 200a/µs, 500a/µs, 800a/µs
dI
F
/dt, 电流 比率 的 改变 (一个/
µ
s)
0
20
40
60
80
100
t, 恢复 时间 (ns)
V
R
= 390v, t
J
= 125
°
C
t
b
在 i
F
= 30a, 15a, 7.5a
1000 16001400400200 600 800 1200
t
一个
在I
F
= 30a, 15a, 7.5a
I
F
, 向前 电流 (一个)
2
6
8
10
12
14
16
I
rm(rec)
, 最大值 反转 恢复 电流 (一个)
dI
F
/dt = 800a/µs
dI
F
/dt = 500a/µs
dI
F
/dt = 200a/µs
V
R
= 390v, t
J
= 125
°
C
010 305 152025
4
dI
F
/dt, 电流 比率 的 改变 (一个/
µ
s)
0
5
10
15
20
25
1000 1600
V
R
= 390v, t
J
= 125
°
C
I
F
= 30a
I
F
= 7.5a
I
F
= 15a
1400400200 600 800 1200
I
rm(rec)
, 最大值 反转 恢复 电流 (一个)
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