©2002 仙童 半导体 公司 isl9r18120g2 / isl9r18120p2 / isl9r18120s3s rev. 一个
isl9r18120g2 / isl9r18120p2 / isl9r18120s3s
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 状态 特性
在 状态 特性
动态 特性
切换 特性
热的 特性
设备 标记 设备 包装 录音带 宽度 Quantity
R18120G2 ISL9R18120G2 至-247 n/一个 30
R18120P2 ISL9R18120P2 至-220ac n/一个 50
R18120S3S ISL9R18120S3S 至-263ab 24mm 800
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
R
instantaneous 反转 电流 V
R
= 1200v T
C
= 25
°
C - - 100 µA
T
C
= 125
°
c--1.0ma
V
F
instantaneous 向前 电压 I
F
= 18a T
C
= 25
°
c-2.73.3v
T
C
= 125
°
c-2.53.1v
C
J
接合面 电容 V
R
= 10v, i
F
= 0a - 69 - pF
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 1a, di
F
/dt = 100a/µs, v
R
= 30v - 38 45 ns
I
F
= 18a, di
F
/dt = 100a/µs, v
R
= 30v - 60 70 ns
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 18a,
dI
F
/dt = 200a/µs,
V
R
= 780v, t
C
= 25
°
C
- 300 - ns
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 6.5 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 950 - nC
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 18a,
dI
F
/dt = 200a/µs,
V
R
= 780v,
T
C
= 125
°
C
- 400 - ns
S softness 因素 (t
b
/t
一个
)-7.0--
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 8.0 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 2.0 - µC
t
rr
反转 恢复 时间 I
F
= 18a,
dI
F
/dt = 1000a/µs,
V
R
= 780v,
T
C
= 125
°
C
- 235 - ns
S softness 因素 (t
b
/t
一个
)-5.2--
I
rm(rec)
最大 反转 恢复 电流 - 22 - 一个
Q
RR
反转 recovered 承担 - 2.1 - µC
dI
M
/dt 最大 di/dt 在 t
b
- 370 - 一个/µs
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面 至 情况 至-247, 至-220, 至-263 - - 1.0
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-247 - - 30
°
c/w
R
θ
JA
热的 阻抗 接合面 至 包围的 至-220, 至-263 - - 62
°
c/w