©2004 仙童 半导体 公司 isl9r860p2, isl9r860s2, isl9r860s3st rev. c1
isl9r860p2, isl9r860s2, isl9r860s3st
图示 7. 反转 恢复 softness 因素 vs di
F
/dt 图示 8. 反转 恢复 承担 vs di
F
/dt
图示 9. 接合面 电容 vs 反转 电压 图示 10. 直流 电流 减额 曲线
图示 11. normalized 最大 瞬时 热的 阻抗
典型 效能 曲线
(持续)
dI
F
/dt, 电流 比率 的 改变 (一个/µs)
100
1
2
3
4
5
6
700 1000
V
R
= 390v, t
J
= 125°c
I
F
= 16a
I
F
= 8a
I
F
= 4a
s, 反转 恢复 softness 因素
200 300 400 500 600 800 900
dI
F
/dt, 电流 比率 的 改变 (一个/µs)
50
100
150
200
250
300
350
V
R
= 390v, t
J
= 125°c
I
F
= 16a
I
F
= 8a
I
F
= 4a
Q
RR
, 反转 恢复 承担 (nc)
100 700 1000200 300 400 500 600 800 900
V
R
, 反转 电压 (v)
C
J
, 接合面 电容 (pf)
0
200
400
600
800
1000
1200
0.1 100101
4
0
150 155 165140 175160
6
8
10
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
f(av)
, 平均 向前 电流 (一个)
170145
2
t, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
-5
10
-2
10
-1
Z
θ
JA
, normalized
热的 阻抗
0.01
10
-4
10
-3
单独的 脉冲波
10
0
0.1
10
1
职责 循环 - descending 顺序
0.5
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
注释:
职责 因素: d = t
1
/t
2
顶峰 t
J
= p
DM
x z
θ
JA
x r
θ
JA
+ t
一个
P
DM
t
1
t
2
1.0