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资料编号:843106
 
资料名称:LM336M-5.0
 
文件大小: 216K
   
说明
 
介绍:
5.0V Reference Diode
 
 


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绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 必需的,
联系 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 有效性 规格.
反转 电流 15mA
向前 电流 10mA
存储 温度 −60˚C +150˚C
运行 温度 范围 (便条 2)
lm136-5.0 −55˚C +150˚C
lm236-5.0 −25˚C +85˚C
lm336-5.0 0˚C +70˚C
焊接 信息
至-92 包装 (10 秒.) 260˚C
至-46 包装 (10 秒.) 300˚C
所以 包装
Vapor 阶段 (60 秒.) 215˚C
Infrared (15 秒.) 220˚C
一个-450 “Surface 挂载 方法 它们的 效应
产品 Reliability” (附录 d) 其它 方法 焊盘-
ing 表面 挂载 设备.
电的 特性
(便条 3)
lm136a-5.0/lm236a-5.0 lm336b-5.0
参数 情况 lm136-5.0/lm236-5.0 lm336-5.0 单位
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
反转 损坏 电压 T
一个
=
25˚c, I
R
=
1mA
lm136-5.0/lm236-5.0/lm336-5.0 4.9 5.00 5.1 4.8 5.00 5.2 V
lm136a-5.0/lm236a-5.0, lm336b-5.0 4.95 5.00 5.05 4.90 5.00 5.1 V
反转 损坏 改变 T
一个
=
25˚c, 6 12 6 20 mV
电流 600 µA
I
R
10 毫安
反转 动态 阻抗 T
一个
=
25˚c, I
R
=
1 毫安, f
=
100 Hz 0.6 1.2 0.6 2
温度 稳固 V
R
调整 5.00v
(便条 4) I
R
=
1 毫安, (
图示 2
)
0˚C
T
一个
70˚C (lm336-5.0) 4 12 mV
−25˚C
T
一个
+85˚C (lm236-5.0) 7 18 mV
−55˚C
T
一个
+125˚C (lm136-5.0) 20 36 mV
反转 损坏 改变 600 µA
I
R
10 毫安 6 17 6 24 mV
电流
调整 范围 电路
图示 1
±
1
±
1V
反转 动态 阻抗 I
R
=
1 毫安 0.8 1.6 0.8 2.5
稳固 T
一个
=
25˚C
±
0.1˚c, I
R
=
1 毫安, t
=
1000 hrs 20 20 ppm
便条 1:
绝对 最大 比率 表明 限制 在之外 这个 损坏 设备 出现. 电的 规格 应用 运行 设备
在之外 它的 指定 运行 情况.
便条 2:
提升 温度 运作, T
j
最大值 是:
LM136 150˚C
LM236 125˚C
LM336 100˚C
热的 阻抗 至-92 至-46 所以-8
θ
ja
(接合面 包围的) 180˚c/w (0.4" leads) 440˚c/w 165˚c/w
170˚c/w (0.125"
leads)
θ
ja
(接合面 情况) n/一个 80˚c/w n/一个
便条 3:
除非 否则 指定, lm136-5.0 指定 −55˚C
T
一个
+125˚c, lm236-5.0 −25˚C
T
一个
+85˚C lm336-5.0
0˚C
T
一个
+70˚c.
便条 4:
温度 稳固 LM336 LM236 家族 有保证的 设计. 设计 限制 有保证的 (但是 100
%
百分比 生产 测试)
表明 温度 供应 电压 范围. 这些 限制 使用 计算 优于 质量 水平. 稳固 定义 最大 承担
V
REF
25˚C T
一个
(最小值) 或者 T
一个
(最大值).
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