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LTC1775
这 基本 ltc1775 应用 电路 是 显示 在 图示 1.
外部 组件 选择 是 primarily 决定 用
这 最大 加载 电流 和 begins 和 这 选择 的
这 sense 阻抗 为 这 desired 电流 水平的. 自从 这
ltc1775 senses 电流 使用 这 在-阻抗 的 这
电源 场效应晶体管, 这 最大 应用 电流 prima-
rily 确定 这 选择 的 场效应晶体管. 这 运行
频率 和 这 inductor 是 选择 为基础 largely 在
这 desired 数量 的 波纹 电流. 最终, c
在
是 se-
lected 为 它的 能力 至 handle 这 rms 电流 在 这
转换器 和 c
输出
是 选择 和 低 足够的 等效串联电阻 至
满足 这 输出 电压 波纹 规格.
电源 场效应晶体管 选择
这 ltc1775 需要 二 外部 n-频道 电源
mosfets, 一个 为 这 顶 (主要的) 转变 和 一个 为 这
bottom (同步的) 转变. 重要的 参数 为
这 电源 mosfets 是 这 损坏 电压 v
(br)dss
,
门槛 电压 v
gs(th)
, 在-阻抗 r
ds(在)
, 反转
转移 电容 c
RSS
和 最大 电流 i
d(最大值)
.
这 门 驱动 电压 是 设置 用 这 5.2v intv
CC
供应.
consequently, 逻辑 水平的 门槛 mosfets 必须 是
使用 在 ltc1775 产品. 如果 低 输入 电压 opera-
tion 是 预期的 (v
在
< 5v), 然后 sub-逻辑 水平的 门槛
mosfets 应当 是 使用. 支付 关闭 注意 至 这
V
(br)dss
规格 为 这 mosfets 作 好; 许多 的
这 逻辑 水平的 mosfets 是 限制 至 30v 或者 较少.
这 场效应晶体管 在-阻抗 是 选择 为基础 在 这
必需的 加载 电流. 这 最大 平均 输出 cur-
rent i
o(最大值)
是 equal 至 这 顶峰 inductor 电流 较少 half
这 顶峰-至-顶峰 波纹 电流
∆
I
L
. 这 顶峰 inductor
电流 是 本质上 限制 在 一个 电流 模式 控制
用 这 电流 门槛 i
TH
范围. 这 相应的
最大 v
DS
sense 电压 是 关于 300mv 下面 也不-
mal 情况. 这 ltc1775 将 不 准许 顶峰 inductor
电流 至 超过 300mv/r
ds(在)(顶)
. 这 下列的
等式 是 一个 好的 手册 为 determining 这 必需的
R
ds(在)(最大值)
在 25
°
c (生产者’s 规格), al-
lowing 一些 余裕 为 波纹 电流, 电流 限制 和
变化 在 这 ltc1775 和 外部 组件 值:
R
mV
I
DS 在 最大值
O 最大值 T
()( )
()
≅
()
()
240
ρ
这
ρ
T
是 一个 normalized 期 accounting 为 这 重大的
变化 在 r
ds(在)
和 温度, 典型地 关于
0.4%/
°
c 作 显示 在 图示 2. 接合面 至 包围的 tem-
perature t
JA
是 周围 20
°
c 在 大多数 产品. 为 一个
最大 包围的 温度 的 70
°
c, 使用
ρ
90
°
C
≅
1.3
在 这 在之上 等式 是 一个 合理的 选择. 这个 等式
是 plotted 在 图示 3 至 illustrate 这 dependence 的
最大 输出 电流 在 r
ds(在)
. 一些 popular
mosfets 是 显示 作 数据 点.
图示 2. r
ds(在)
vs 温度
图示 3. 最大 输出 电流 vs r
ds(在)
在 v
GS
= 4.5v
这 300mv 最大 sense 电压 的 这 ltc1775
准许 一个 大 电流 至 是 得到 从 电源 场效应晶体管
switches. 它 也 导致 一个 重大的 数量 的 电源
消耗 在 那些 switches 和 细致的 注意 必须 是
接合面 温度 (
°
c)
–50
ρ
T
normalized 在 阻抗
1.0
1.5
150
1775 f02
0.5
0
0
50
100
2.0
R
ds(在)
(
Ω
)
0
最大 输出 电流 (一个)
15
20
25
0.08
1775 f03
10
5
0
0.02
0.04
0.06
0.10
IRL3803
sud50n03-10
FDS8936A
Si9936
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