10
LTC34 06B
3406bfa
APPLICATIOs i 为 atio
WUUU
虽然 所有 dissipative elements 在 这 电路 生产
losses, 二 主要的 来源 通常地 账户 为 大多数 的 这
losses 在 ltc3406b 电路: v
在
安静的 电流 和 i
2
R
losses. 这 v
在
安静的 电流 丧失 支配 这
效率 丧失 在 非常 低 加载 电流 whereas 这 i
2
R
丧失 支配 这 效率 丧失 在 中等 至 高 加载
电流. 在 一个 典型 效率 plot, 这 效率 曲线 在
非常 低 加载 电流 能 是 misleading 自从 这 真实的
电源 lost 是 的 非 consequence 作 illustrated 在 图示 4.
2. i
2
r losses 是 计算 从 这 抵制 的 这
内部的 switches, r
SW
, 和 外部 inductor r
L
. 在
持续的 模式, 这 平均 输出 电流 流
通过 inductor l 是 “chopped” 在 这 主要的
转变 和 这 同步的 转变. 因此, 这 序列
阻抗 looking 在 这 sw 管脚 是 一个 函数 的 两个都
顶 和 bottom 场效应晶体管 r
ds(在)
和 这 职责 循环
(直流) 作 跟随:
R
SW
= (r
ds(在)顶
)(直流) + (r
ds(在)bot
)(1 – 直流)
这 r
ds(在)
为 两个都 这 顶 和 bottom mosfets 能
是 得到 从 这 典型 效能 charateristics
曲线. 因此, 至 获得 i
2
r losses, simply 增加 r
SW
至
R
L
和 乘以 这 结果 用 这 正方形的 的 这 平均
输出 电流.
其它 losses 包含 c
在
和 c
输出
等效串联电阻 dissipative
losses 和 inductor 核心 losses 一般地 账户 为 较少
比 2% 总的 额外的 丧失.
热的 仔细考虑
在 大多数 产品 这 ltc3406b 做 不 dissipate
更 热温 预定的 至 它的 高 效率. 但是, 在 产品
在哪里 这 ltc3406b 是 运动 在 高 包围的 tempera-
ture 和 低 供应 电压 和 高 职责 循环, 此类
作 在 落后, 这 热温 dissipated 将 超过 这 maxi-
mum 接合面 温度 的 这 部分. 如果 这 接合面
温度 reaches 大概 150
°
c, 两个都 电源
switches 将 是 转变 止 和 这 sw node 将 变为
高 阻抗.
至 避免 这 ltc3406b 从 exceeding 这 最大
接合面 温度, 这 用户 将 需要 至 做 一些
热的 分析. 这 goal 的 这 热的 分析 是 至
决定 whether 这 电源 dissipated 超过 这
最大 接合面 温度 的 这 部分. 这 tempera-
ture 上升 是 给 用:
T
R
= (p
D
)(
θ
JA
)
在哪里 p
D
是 这 电源 dissipated 用 这 调整器 和
θ
JA
是 这 热的 阻抗 从 这 接合面 的 这 消逝 至 这
包围的 温度.
图示 4. 电源 lost vs 加载 电流
1. 这 v
在
安静的 电流 是 预定的 至 二 组件:
这 直流 偏差 电流 作 给 在 这 电的 character-
istics 和 这 内部的 主要的 转变 和 同步的
转变 门 承担 电流. 这 门 承担 电流
结果 从 切换 这 门 电容 的 这
内部的 电源 场效应晶体管 switches. 各自 时间 这 门 是
切换 从 高 至 低 至 高 又一次, 一个 小包装板盒 的
承担, dq, moves 从 v
在
至 地面. 这 结果
dq/dt 是 这 电流 输出 的 v
在
那 是 典型地 大 比
这 直流 偏差 电流. 在 持续的 模式, i
GATECHG
=
f(q
T
+ q
B
) 在哪里 q
T
和 q
B
是 这 门 charges 的 这
内部的 顶 和 bottom switches. 两个都 这 直流 偏差 和
门 承担 losses 是 均衡的 至 v
在
和 因此
它们的 影响 将 是 更多 pronounced 在 高等级的 供应
电压.
加载 电流 (毫安)
电源 丧失 (w)
0.1 10 100 1000
3406b f04
1
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
V
输出
= 1.2v
V
输出
= 1.8v
V
输出
= 2.5v
V
输出
= 1.5v
V
在
= 3.6v
: 点此下载
