绝对 最大 比率
(注释 2,
1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
)7v
一般 模式 范围 (v
CM
)
±
14V
差别的 输入 电压 (v
DIFF
)
±
14V
使能 输入 电压 (v
在
)7v
存储 温度 范围 (t
STG
) −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (焊接 4 秒.) 260˚C
最大 电源 消耗 在 25˚C (便条 5)
陶瓷的 “J” pkg. 2308 mW
塑料 “N” pkg. 1645 mW
SOIC “M” pkg. 1190 mW
陶瓷的 “E” pkg. 2108 mW
陶瓷的 “W” pkg. 1215 mW
最大 电流 每 输出
±
25 毫安
这个 设备 做 不 满足 2000V 静电释放 比率.
(便条 4)
运行 情况
最小值 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 4.50 5.50 V
运行 温度 范围 (t
一个
)
DS26C32AT −40 +85 ˚C
DS26C32AM −55 +125 ˚C
使能 输入 上升 或者 下降 时间 500 ns
直流 电的 特性
V
CC
=5V
±
10% (除非 否则 指定) (便条 1)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
TH
最小 差别的 V
输出
=V
OH
或者 V
OL
−200 35 +200 mV
输入 电压 −7V
<
V
CM
<
+7V
R
在
输入 阻抗 V
在
= −7v, +7V DS26C32AT 5.0 6.8 10 k
Ω
(其它 输入 = 地) DS26C32AM 4.5 6.8 11 k
Ω
I
在
输入 电流 V
在
= +10v, DS26C32AT +1.1 +1.5 毫安
其它 输入 = 地 DS26C32AM +1.1 +1.8 毫安
V
在
= −10v, DS26C32AT −2.0 −2.5 毫安
其它 输入 = 地 DS26C32AM −2.0 −2.7 毫安
V
OH
最小 高 水平的 V
CC
= 最小值, V
DIFF
= +1V 3.8 4.2 V
输出 电压 I
输出
= −6.0 毫安
V
OL
最大 低 水平的 V
CC
= 最大值, V
DIFF
= −1V 0.2 0.3 V
输出 电压 I
输出
= 6.0 毫安
V
IH
最小 使能 高 2.0 V
输入 水平的 电压
V
IL
最大 使能 低 0.8 V
输入 水平的 电压
I
OZ
最大 触发-状态
®
V
输出
=V
CC
或者 地,
输出 泄漏 电流 使能 = V
IL
,
±
0.5
±
5.0 µA
使能 = V
IH
I
I
最大 使能 输入 V
在
=V
CC
或者 地
±
1.0 µA
电流
I
CC
安静的 电源 V
CC
= 最大值, DS26C32AT 16 23 毫安
供应 电流 V
DIF
= +1V DS26C32AM 16 25 毫安
V
HYST
输入 Hysteresis V
CM
=0V 60 mV
交流 电的 特性
V
CC
=5V
±
10% (便条 3)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
DS26C32AT DS26C32AM
t
PLH
, 传播 延迟 C
L
=50pF
t
PHL
输入 至 输出 V
DIFF
= 2.5v 10 19 30 35 ns
V
CM
=0V
ds26c32at/ds26c32am
www.国家的.com 2
: 点此下载
