M68AF031A
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表格 8. 写 模式 交流 特性
便条: 1. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
WLQZ
是 较少 比 t
WHQX
为 任何 给 设备.
2. 这些 参数 是 定义 作 这 时间 在 这个 这 输出 达到 这 打开 电路 情况 和 是 不 关联 至 output
电压 水平.
图示 15. 低 v
CC
数据 保持 交流 波形
标识 参数
M68AF031A
单位55 70
最小值 最大值 最小值 最大值
t
AVAV
写 循环 时间 55 70 ns
t
AVEH
地址 有效的 至 碎片 使能 高 45 60 ns
t
AVEL
地址 有效的 至 碎片 使能 低 0 0 ns
t
AVWH
地址 有效的 至 写 使能 高 45 60 ns
t
AVWL
地址 有效的 至 写 使能 低 0 0 ns
t
DVEH
输入 有效的 至 碎片 使能 高 25 30 ns
t
DVWH
输入 有效的 至 写 使能 高 25 30 ns
t
EHAX
碎片 使能 高 至 地址 转变 0 0 ns
t
EHDX
碎片 使能 高 至 输入 转变 0 0 ns
t
ELEH
碎片 使能 低 至 碎片 使能 高 45 60 ns
t
ELWH
碎片 使能 低 至 写 使能 高 45 60 ns
t
WHAX
写 使能 高 至 地址 转变 0 0 ns
t
WHDX
写 使能 高 至 输入 转变 0 0 ns
t
WHQX
(1)
写 使能 高 至 输出 转变 5 5 ns
t
WLEH
写 使能 低 至 碎片 使能 高 45 60 ns
t
WLQZ
(1,2)
写 使能 低 至 输出 hi-z 20 25 ns
t
WLWH
写 使能 低 至 写 使能 高 45 50 ns
AI05925
数据 保持 模式
tR
5.5v
tCDR
V
CC
4.5v
V
DR
> 2.0v
E
E
≥
V
DR
– 0.2v
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