MAX6715–MAX6729
双/triple 过激-低-电压 sot23 µp
supervisory 电路
2 _______________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
电的 特性
(v
CC
1 = v
CC
2 = 0.8v 至 5.5v, 地 = 0, t
一个
= -40
°
c 至 +85
°
c, 除非 否则 指出. 典型 值 是 在 t
一个
= +25
°
c.) (便条 1)
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
终端 电压 (和 遵守 至 地)
V
CC
1, v
CC
2 ..........................................................-0.3v 至 +6v
打开-流
RST
,
RST1
,
RST2
,
PFO
, rst ................-0.3v 至 +6v
推-拉 rst,
RST1
,
PFO
,
RST
...............-0.3v 至 (v
CC
1 + 0.3v)
推-拉
RST2
.........................................-0.3v 至 (v
CC
2 + 0.3v)
rstin, pfi,
MR
, wdi ................................................-0.3v 至 +6v
输入 电流/输出 电流 (所有 管脚) ...............................20ma
持续的 电源 消耗 (t
一个
= +70
°
c)
5-管脚 sot23-5 (减额 7.1mw/
°
c 在之上 +70
°
c) ........571mw
6-管脚 sot23-6 (减额 8.7mw/
°
c 在之上 +70
°
c) ........696mw
8-管脚 sot23-8 (减额 8.9mw/
°
c 在之上 +70
°
c) ........714mw
运行 温度 范围 ...........................-40
°
c 至 +85
°
C
存储 温度 范围 .............................-65
°
c 至 +150
°
C
接合面 温度......................................................+150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10s) .................................+300
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 V
CC
0.8 5.5 V
V
CC
1 < 5.5v, 所有 i/o 管脚 打开 15 39
I
CC1
V
CC
1 < 3.6v, 所有 i/o 管脚 打开 10 28
V
CC
2 < 3.6v, 所有 i/o 管脚 打开 4 11
供应 电流
I
CC2
V
CC
2 < 2.75v, 所有 i/o 管脚 打开 3 9
µA
l (下落) 4.500 4.625 4.750
m (下落) 4.250 4.375 4.500
t (下落) 3.000 3.075 3.150
s (下落) 2.850 2.925 3.000
r (下落) 2.550 2.625 2.700
z (下落) 2.250 2.313 2.375
y (下落) 2.125 2.188 2.250
w (下落) 1.620 1.665 1.710
V
CC
1 重置 门槛 V
TH1
v (下落) 1.530 1.575 1.620
V
t (下落) 3.000 3.075 3.150
s (下落) 2.850 2.925 3.000
r (下落) 2.550 2.625 2.700
z (下落) 2.250 2.313 2.375
y (下落) 2.125 2.188 2.250
w (下落) 1.620 1.665 1.710
v (下落) 1.530 1.575 1.620
i (下落) 1.350 1.388 1.425
h (下落) 1.275 1.313 1.350
g (下落) 1.080 1.110 1.140
f (下落) 1.020 1.050 1.080
e (下落) 0.810 0.833 0.855
V
CC
2 重置 门槛 V
TH2
d (下落) 0.765 0.788 0.810
V
重置 门槛 tempco 20 ppm/
°
C
重置 门槛 hysteresis V
HYST
关联 至 v
TH
典型 0.5 %
: 点此下载
