4-211
telcom 半导体, 公司
7
6
5
4
3
1
2
8
典型 特性
550
440
330
220
110
0
579111315
时间 (nsec)
V
DD
10,000pf
4700pF
2200pF
上升 时间 vs. 供应 电压
330
264
198
132
66
0
时间 (ns)
10,000pf
2200pF
4700pF
57 9111315
V
DD
下降 时间 vs. 供应 电压
c = 1000pf
L
t
D1
时间 (nsec)
5
7
9
11
13 15
V
DD
80
70
60
50
40
30
延迟 时间 vs. 供应 电压
t
D2
40
32
24
16
8
0
25 45 65 85 105
125
温度 (°c)
时间 (nsec)
上升
t
下降
t
c = 1000pf
L
v = +15v
DD
上升 和 下降 时间 vs. 温度
c = 1000pf
L
v = +15v
DD
60
54
48
42
36
0
25 45 65 85 105 125
温度 (°c)
时间 (nsec)
D1
t
t
D2
延迟 时间 vs. 温度
30
24
18
12
6
0
100 520 940 1360 1780 2200
供应 电流 (毫安)
电容的 加载 (pf)
500kHz
200kHz
20kHz
c = 1000pf
L
v = 15v
DD
供应 电流 vs. 电容的 加载
电容的 加载 (pf)
100
1000
10,000
1000
100
10
10 v
DD
时间 (nsec)
5 v
DD
15 v
DD
上升 时间 vs. 电容的 加载
1000
100
10
100
1000
10,000
电容的 加载 (pf)
时间 (nsec)
5V
DD
10V
DD
下降 时间 vs. 电容的 加载
15V
DD
c = 1000pf
L
100
80
60
40
20
0
10
100 1000
10,000
v = 15v
DD
v = 10v
DD
v = 5v
DD
频率 (khz)
供应 电流 (毫安)
供应 电流 vs. 频率
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
T
一个
= +25°c
(v)
(v)
(v)
1.2a 双 高-速 场效应晶体管 驱动器
TC1426
TC1427
TC1428
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