ntp75n06, ntb75n06
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4
1000
100
10
1
0
200
400
600
800
1000
8
4
10
2
6
0
12
50
10 10
6000
50
c, 电容 (pf)
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 vs. 总的 承担
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
1
1000
10
100
1
100
图示 9. resistive 切换 时间 变化
vs. 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
)
图示 10. 二极管 向前 电压 vs. 电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
t, 时间 (ns)
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
图示 12. 最大 avalanche 活力 vs.
开始 接合面 温度
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
I
D
, 流 电流 (放大器)
E
作
, 单独的 脉冲波 drain−to−source
avalanche 活力 (mj)
0.1 101 100
0 10 100
0.6 0.76 0.80.720.68 0.840.64 0.96
30
60
20
40
0
70
80
25 125 1501007550 175
gate−to−source 或者 drain−to−source (v)
2000
4000
8000
10000
25
I
S
, 源 电流 (放大器)
15 2052030405060
0.86 0.92
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
V
GS
I
D
= 75 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
V
GS
= 0 vV
DS
= 0 v T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
C
rss
C
iss
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
V
DS
= 30 v
I
D
= 75 一个
V
GS
= 5 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
I
D
= 75 一个
10 ms
1 ms
100
s
10
s
直流
t
f
t
d(止)
t
d(在)
t
r
V
DS
Q
2
Q
1
Q
T
10
70 80 90
1
10
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