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在-阻抗 增加 slightly 在 低 供应 电压.
最大 供应 电压 (v+) 必须 不 超过 +6v.
adding 保护 二极管 d2 导致 这 逻辑 门槛
至 是 shifted 相关的 至 地. 保护 二极管 d1 和
d2 也 保护 相反 一些 超（电）压 situations.
和 图示 5
’
s 电路, 如果 这 供应 电压 是 在下 这
绝对 最大 比率, 和 如果 一个 故障 电压 向上 至
这 绝对 最大 比率 是 应用 至 一个 相似物
信号 管脚, 非 损坏 结果.
max4635/max4636
快, 低-电压, 双 4
Ω
SPDT
cmos 相似物 switches
_______________________________________________________________________________________ 9
图示 5. 超（电）压 保护 使用 二 外部 blocking
二极管
积极的 供应
com_
非_
D2
D1
地
V
g
V+
MAX4635
MAX4636
碎片 信息
晶体管 计数: 239
处理: cmos

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在-阻抗增加 slightly 在低供应电压. 最大供应电压 (v+) 必须不超过 +6v. adding 保护二极管 d2 导致这逻辑门槛至是 shifted 相关的至地. 保护二极管 d1 和 d2 也保护相反一些超（电）压 situations. 和图示 5 ’ s 电路, 如果这供应电压是在下这绝对最大比率, 和如果一个故障电压向上至这绝对最大比率是应用至一个相似物信号管脚, 非损坏结果. max4635/max4636 快, 低-电压, 双 4 Ω SPDT cmos 相似物 switches _______________________________________________________________________________________ 9 图示 5. 超（电）压保护使用二外部 blocking 二极管积极的供应 com_ 非_ D2 D1 地 V g V+ MAX4635 MAX4636 碎片信息晶体管计数: 239 处理: cmos

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