首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:884285
 
资料名称:R1170H331B-T1
 
文件大小: 261K
   
说明
 
介绍:
800mA LDO REGULATOR   
 
 


: 点此下载
  浏览型号R1170H331B-T1的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号R1170H331B-T1的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号R1170H331B-T1的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号R1170H331B-T1的Datasheet PDF文件第6页
6

7
浏览型号R1170H331B-T1的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号R1170H331B-T1的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号R1170H331B-T1的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号R1170H331B-T1的Datasheet PDF文件第11页
11
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
rev. 1.10 -7-
技术的 注释 在 外部 组件 和 典型 应用
阶段 补偿
在 这些 ics, 阶段 补偿 是 制造 和 输出 电容 为 securing 稳固的 运作 甚至
如果 这 加载 电流 是 varied. 为 这个 目的, 使用 作 更 作 10
µ
f 电容 作 c
l.
如果 你 使用 一个 tantalum 类型 电容 和 等效串联电阻 值 的 这 电容 是 大, 输出 might 是
unstable. evaluate your 电路 和 considering 频率 特性. 更远, 谈及 至 这
典型 特性 非.12.
挂载 在 pcb
制造 v
DD
和 地 线条 sufficient. 如果 这 阻抗 的 这些 是 高, 电流 flows, 这 噪音 might
是 picked 向上 或者 是 一个 导致 的 unstable 运作. 更远 使用 作 更 作 10
µ
f 电容 在
V
DD
管脚 和 地 管脚 作 关闭 作 可能.
设置 一个 输出 capcitor 在 v
输出
管脚 和 地 管脚 为 阶段 补偿 作 关闭 作 可能.
(谈及 至 这 例子 的 典型 应用)
例子 的 这 典型 应用 的 r1170hxxxb
输出
V
DD
CE
V
输出
CI
CL
R1170Hxx1B
CI=10
µ
f(陶瓷的), cl=10
µ
f(陶瓷的)
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com