rt9168/一个
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至 确保 恰当的 运作, 这 信号 源 使用 至
驱动 这 shdn 输入 必须 是 能 至 摆动 在之上 和
在下 这 指定 转变-在/转变-止 电压 门槛
这个 保证 一个 在 或者 止 状态 (看 电的
特性). 这 开关 信号 将 来到 从
也 cmos 输出, 或者 一个 打开-集电级 输出 和
拉-向上 电阻 至 这 rt9168/一个 输入 电压 或者
另一 逻辑 供应. 这 高-水平的 电压 将
超过 这 rt9168/一个 输入 电压, 但是 必须 仍然是
在里面 这 绝对 最大 比率 为 这 shdn 管脚.
内部的 p-频道 通过 晶体管
这 rt9168/一个 特性 一个 典型 1.1
Ω
p-频道
场效应晶体管 通过 晶体管. 它 提供 一些
有利因素 在 类似的 设计 使用 pnp 通过
晶体管, 包含 变长 电池 生命. 这 p-频道
场效应晶体管 需要 非 根基 驱动, 这个 减少
安静的 电流 非常. pnp-为基础 regulators
waste considerable 电流 在 落后 当 这 通过
晶体管 saturates. 它们 也 使用 高 根基-驱动
电流 下面 大 负载. 这 rt9168/一个 做 不
suffer 从 这些 问题 和 consume 仅有的 80µa 的
安静的 电流 whether 在 落后, 明亮的-加载, 或者
重的-加载 产品.
输入-输出 (落后) 电压
一个 调整器’s 最小 输入-输出 电压
差别的 (或者 落后 电压) 确定 这
最低 usable 供应 电压. 在 电池-powered
系统, 这个 将 决定 这 有用的 终止-的-生命
电池 电压. 因为 这 rt9168/一个 使用 一个 p-
频道 场效应晶体管 通过 晶体管, 这 落后
电压 是 一个 函数 的 流-至-源 在-阻抗
[R
ds(在)]
multiplied 用 这 加载 电流.
反转 电流 path
这 电源 晶体管 使用 在 这 rt9168/一个 有 一个
固有的 二极管 连接 在 这 调整器
输入 和 输出 (看 图.2). 如果 这 输出 是 强迫
在之上 这 输入 用 更多 比 一个 二极管-漏出, 这个
二极管 将 变为 向前 片面的 和 电流 将
流动 从 这 v
输出
终端 至 v
在
. 这个 二极管 将
也 是 转变 在 用 abruptly stepping 这 输入
电压 至 一个 值 在下 这 输出 电压. 至
阻止 调整器 mis-运作, 一个 肖特基 二极管
应当 是 使用 在 任何 产品 在哪里
输入/输出 电压 情况 能 导致 这
内部的 二极管 至 是 转变 在 (看 图.3). 作 显示,
这 肖特基 二极管 是 连接 在 并行的 和 这
内部的 parasitic 二极管 和 阻止 它 从 正在
转变 在 用 限制的 这 电压 漏出 横过 它 至
关于 0.3v. < 100 毫安 至 阻止 损坏 至 这 部分.
电流 限制 和 热的 保护
这 rt9168 包含 一个 电流 限制 这个 monitors
和 控制 这 通过 晶体管’s 门 电压 限制的
这 输出 电流 至 300ma 典型值 (700ma 典型值 为
rt9168a). 热的-超载 保护 限制 总的
电源 消耗 在 这 rt9168/一个. when 这 接合面
温度 超过 t
J
= +155°c, 这 热的 传感器
信号 这 关闭 逻辑 turning 止 这 通过
晶体管 和 准许 这 ic 至 cool. 这 热的
传感器 将 转变 这 通过 晶体管 在 又一次 之后 这
ic’s 接合面 温度 cools 用 10°c, 结果 在 一个
搏动 输出 在 持续的 热的-超载
情况. 热的-使负荷过重 保护 是 设计
至 保护 这 rt9168/一个 在 这 事件 的 故障 情况.
做 不 超过 这 绝对 最大 接合面-
温度 比率 的 t
J
= +150°c 为 持续的
运作. 这 输出 能 是 短接 至 地面 为 一个
图. 2
V
在
V
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图. 3
V
在
V
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