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资料编号:888974
 
资料名称:STK11C68
 
文件大小: 58K
   
说明
 
介绍:
8K x 8 nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM
 
 


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STK11C68
六月 1999 4-24
sram 写 循环 #1 &放大; #2
(v
CC
= 5.0v + 10%)
b
便条 j: 如果 w 是 低 当 e 变得 低, 这 输出 仍然是 在 这 高-阻抗 状态.
便条 k:
e 或者 w 必须 是
V
IH
在 地址 transitions.
sram 写 循环 #1
: w 控制
k
sram 写 循环 #2
: e 控制
k
非.
SYMBOLS
参数
stk11c68-20 stk11c68-25 stk11c68-35 stk11c68-45
单位
#1 #2 alt. 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
12 t
AVAV
t
AVAV
t
WC
写 循环 时间 20 25 35 45 ns
13 t
WLWH
t
WLEH
t
WP
写 脉冲波 宽度 15 20 25 30 ns
14 t
ELWH
t
ELEH
t
CW
碎片 使能 至 终止 的 写 15 20 25 30 ns
15 t
DVWH
t
DVEH
t
DW
数据 设置-向上 至 终止 的 写 8 10 12 15 ns
16 t
WHDX
t
EHDX
t
DH
数据 支撑 之后 终止 的 写 0 0 0 0 ns
17 t
AVWH
t
AVEH
t
AW
地址 设置-向上 至 终止 的 写 15 20 25 30 ns
18 t
AVWL
t
AVEL
t
地址 设置-向上 至 开始 的 写 0 0 0 0 ns
19 t
WHAX
t
EHAX
t
WR
地址 支撑 之后 终止 的 写 0 0 0 0 ns
20 t
WLQZ
t
WZ
写 使能 至 输出 使不能运转 7 10 13 15 ns
21 t
WHQX
t
OW
输出 起作用的 之后 终止 的 写 5 5 5 5 ns
previous 数据
数据 输出
E
地址
12
t
AVAV
W
16
t
WHDX
数据 在
19
t
WHAX
13
t
WLWH
18
t
AVWL
17
t
AVWH
数据 有效的
20
t
WLQZ
15
t
DVWH
高 阻抗
21
t
WHQX
14
t
ELWH
数据 输出
E
地址
12
t
AVAV
W
数据 在
13
t
WLEH
17
t
AVEH
数据 有效的
高 阻抗
14
t
ELEH
18
t
AVEL
15
t
DVEH
19
t
EHAX
16
t
EHDX
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