STK11C68
六月 1999 4-27
这 STK11C68 是 一个 多功能的 记忆 碎片 那 pro-
vides 一些 模式 的 运作. 这 STK11C68
能 运作 作 一个 标准 8K x 8
SRAM
. 它 有 一个
8K x 8
可擦可编程只读存储器
shadow 至 这个 这
SRAM
informa-
tion 能 是 copied 或者 从 这个 这
SRAM
能 是
updated 在 nonvolatile 模式.
噪音 仔细考虑
便条 那 这 STK11C68 是 一个 高-速 记忆
和 所以 必须 有 一个 高-频率 绕过 capaci-
tor 的 大概 0.1
µ
F 连接 在 V
cc
和 V
ss
, 使用 leads 和 查出 那 是 作 短的 作
可能. 作 和 所有 高-速
CMOS
ics, 正常的
细致的 routing 的 电源, 地面 和 信号 将 帮助
阻止 噪音 问题.
sram 读
这 STK11C68 执行 一个
读
循环 whenever E
和
G 是 低 和 W 是 高. 这 地址 specified
在 管脚 一个
0-12
确定 这个 的 这 8,192 数据
字节 将 是 accessed. 当 这
读
是 initiated
用 一个 地址 转变, 这 输出 将 是 有效的
之后 一个 延迟 的
t
AVQV
(
读
循环 #1). 如果 这
读
是
initiated 用
Eorg, 这 输出 将 是 有效的 在 t
ELQV
或者
在
t
GLQV
, whichever 是 后来的 (
读
循环 #2). 这 数据
输出 将 repeatedly respond 至 地址 改变
在里面 这 t
AVQV
进入 时间 没有 这 需要 为 tran-
sitions 在 任何 控制 输入 管脚, 和 将 仍然是 有效的
直到 另一 地址 改变 或者 直到
EorGis
brought 高.
sram 写
一个
写
循环 是 执行 whenever E 和 W 是
低. 这 地址 输入 必须 是 稳固的 较早的 至
进去 这
写
循环 和 必须 仍然是 稳固的
直到 也
EorW 变得 高 在 这 终止 的 这 循环.
这 数据 在 这 一般 i/o 管脚 DQ
0-7
将 是 writ-
ten 在 这 记忆 如果 它 是 有效的 t
DVWH
在之前 这 终止
的 一个
W 控制
写
或者 t
DVEH
在之前 这 终止 的 一个
e 控制
写
.
它 是 推荐 那
G 是 保持 高 在 这
全部
写
循环 至 避免 数据 总线 contention 在
这 一般 i/o 线条. 如果
G 是 left 低, 内部的 电路系统
将 转变 止 这 输出 缓存区 t
WLQZ
之后 w 变得 低.
软件 nonvolatile
STORE
这 STK11C68 软件
STORE
循环 是 initiated 用
executing sequential
读
循环 从 六 specific
地址 locations. 在 这
STORE
循环 一个 擦掉
的 这 previous nonvolatile 数据 是 first 执行,
followed 用 一个 程序 的 这 nonvolatile elements.
这 程序 运作 copies 这
SRAM
数据 在
nonvolatile 记忆. Once 一个
STORE
循环 是 initiated,
更远 输入 和 输出 是 无能 直到 这 循环
是 完成.
因为 一个 sequence 的
读
s 从 specific
地址 是 使用 为
STORE
initiation, 它 是 impor-
tant 那 非 其它
读
或者
写
accesses inter-
vene 在 这 sequence 或者 这 sequence 将 是
aborted 和 非
STORE
或者
RECALL
将 引领 放置.
至 initiate 这 软件
STORE
循环, 这 下列的
读
sequence 必须 是 执行:
1. 读 地址 0000 (十六进制) 有效的 读
2. 读 地址 1555 (十六进制) 有效的 读
3. 读 地址 0aaa (十六进制) 有效的 读
4. 读 地址 1fff (十六进制) 有效的 读
5. 读 地址 10f0 (十六进制) 有效的 读
6. 读 地址 0f0f (十六进制) Initiate
STORE
循环
这 软件 sequence 必须 是 clocked 和 E con-
trolled
读
s.
Once 这 sixth 地址 在 这 sequence 有 被
entered, 这
STORE
循环 将 commence 和 这
碎片 将 是 无能. 它 是 重要的 那
读
循环
和 不
写
循环 是 使用 在 这 sequence,
虽然 它 是 不 需要 那
G 是 低 为 这
sequence 至 是 有效的. 之后 这 t
STORE
循环 时间 有
被 fulfilled, 这
SRAM
将 又一次 是 使活动 为
读
和
写
运作.
软件 nonvolatile
RECALL
一个 软件
RECALL
循环 是 initiated 和 一个 sequence
的
读
行动 在 一个 manner 类似的 至 这 软-
ware
STORE
initiation. 至 initiate 这
RECALL
循环,
这 下列的 sequence 的
读
行动 必须 是
执行:
1. 读 地址 0000 (十六进制) 有效的 读
2. 读 地址 1555 (十六进制) 有效的 读
3. 读 地址 0aaa (十六进制) 有效的 读
4. 读 地址 1fff (十六进制) 有效的 读
5. 读 地址 10f0 (十六进制) 有效的 读
6. 读 地址 0f0e (十六进制) Initiate
RECALL
循环
设备 运作
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