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半导体 组 14 1998-11-01
tle 4269
电流 消耗量
I
Q
相比
输入 电压
V
I
sense 门槛
V
si
相比 温度
T
j
输出 电压
V
Q
相比
输入 电压
V
I
输出 电压
V
Q
相比
温度
T
j
AED01807
0
Ι
q
毫安
10 20 30 40
V50
0
5
10
15
20
25
30
Ι
V
R
L
=50
Ω
Ω
33=
L
R
Ω
100=
L
R
R
L
= 200
Ω
AED01809
-40 04080120 C 160
1.0
Ι
V
= 13.5 v
V
si
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1.6
V
sense 输出 高
sense 输出 低
j
T
AED01808
0
V
Q
V
246
8 V10
0
2
4
6
8
10
12
Ι
V
R
L
=50
Ω
AED01671
-40
V
Q
V
04080
120 C 160
4.6
4.7
4.8
4.9
5.0
5.1
Ι
V
= 13.5 v
5.2
j
T

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半导体组 14 1998-11-01 tle 4269 电流消耗量 I Q 相比输入电压 V I sense 门槛 V si 相比温度 T j 输出电压 V Q 相比输入电压 V I 输出电压 V Q 相比温度 T j AED01807 0 Ι q 毫安 10 20 30 40 V50 0 5 10 15 20 25 30 Ι V R L =50 Ω Ω 33= L R Ω 100= L R R L = 200 Ω AED01809 -40 04080120 C 160 1.0 Ι V = 13.5 v V si 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 V sense 输出高 sense 输出低 j T AED01808 0 V Q V 246 8 V10 0 2 4 6 8 10 12 Ι V R L =50 Ω AED01671 -40 V Q V 04080 120 C 160 4.6 4.7 4.8 4.9 5.0 5.1 Ι V = 13.5 v 5.2 j T

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