数据 薄板 d15588ej2v0ds
2
2sa1649, 2sa1649-z
电的 特性 (ta = 25
°
°°
°
c)
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 电压 V
ceo(sus)
I
C
=
−
4.0 一个, i
B
=
−
0.4 一个, l = 1 mh
−
30
V
集电级 至 发射级 电压 V
cex(sus)
I
C
=
−
4.0 一个, i
B2
=
−
I
B1
=
−
0.4 一个,
V
是(止)
= 1.5 v, l = 180
µ
h, clamped
−
40
V
集电级 截止 电流 I
CBO
V
CE
=
−
30 v, i
E
= 0
−
10
µ
一个
集电级 截止 电流 I
CER
V
CE
=
−
30 v, r
是
= 50
Ω
, ta = 125
°
C
−
1.0
毫安
集电级 截止 电流 I
CEX1
V
CE
=
−
30 v, v
是(止)
= 1.5 v
−
10
µ
一个
集电级 截止 电流 I
CEX2
V
CE
=
−
30 v, v
是(止)
= 1.5 v,
ta = 125
°
C
−
1.0
毫安
发射级 截止 电流 I
EBO
V
EB
=
−
5.0 v, i
C
= 0
−
10
µ
一个
直流 电流 增益 h
FE1
*
V
CE
=
−
2.0 v, i
C
=
−
0.5 一个
100
−
直流 电流 增益 h
FE2
*
V
CE
=
−
2.0 v, i
C
=
−
2.0 一个
100 200 400
−
直流 电流 增益 h
FE3
*
V
CE
=
−
2.0 v, i
C
=
−
4.0 一个
60
−
集电级 饱和 电压 V
ce(sat)1
*
I
C
=
−
3.0 一个, i
B
=
−
0.2 一个
−
0.3
V
集电级 饱和 电压 V
ce(sat)2
*
I
C
=
−
4.0 一个, i
B
=
−
0.3 一个
−
0.5
V
根基 饱和 电压 V
是(sat)1
*
I
C
=
−
3.0 一个, i
B
=
−
0.2 一个
−
1.2
V
根基 饱和 电压 V
是(sat)2
*
I
C
=
−
4.0 一个, i
B
=
−
0.3 一个
−
1.5
V
集电级 电容 C
ob
V
CB
=
−
10 v, i
E
= 0, f = 1.0 mhz
250 pF
增益 带宽 产品 f
T
V
CE
=
−
10 v, i
C
=
−
0.5 一个
120 MHz
转变-在 时间 t
在
0.3
µ
s
存储 时间 t
stg
1.5
µ
s
下降 时间 t
f
I
C
=
−
4.0 一个, r
L
= 5
Ω
,
I
B1
=
−
I
B2
=
−
0.15 一个, v
CC
≅
−
20 v
谈及 至 这 测试 电路.
0.3
µ
s
* 脉冲波 测试 pw
≤
350
µ
s, 职责 循环
≤
2%/搏动
h
分类
标记 M L K
h
FE2
100 至 200 150 至 300 200 至 400
切换 时间 (t
, t
, t
) 测试 电路
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