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资料编号:907883
 
资料名称:2SC4784
 
文件大小: 69K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC4784
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
15 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
8V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
1.5 V
集电级 电流 I
C
20 毫安
集电级 电源 消耗 P
C
100 mW
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 截止 电流 I
CBO
——10
µ
AV
CB
= 15 v, i
E
= 0
I
CEO
——1 mAV
CE
= 8 v, r
=
发射级 截止 电流 I
EBO
——10
µ
AV
EB
= 1.5 v, i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
50 120 250 V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
集电级 输出 电容 Cob 0.45 0.8 pF V
CB
= 5 v, i
E
= 0, f = 1 mhz
增益 带宽 产品 f
T
7.0 10.0 GHz V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安
电源 增益 PG 12.0 15.0 dB V
CE
= 5 v, i
C
= 10 毫安,
f = 900 mhz
噪音 图示 NF 1.2 2.5 dB V
CE
= 5 v, i
C
= 5 毫安,
f = 900 mhz
便条: 标记 是 “ya–”.
注意: 这个 是 静电的 sensitve 设备.
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