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资料编号:907938
 
资料名称:2SC5631
 
文件大小: 75K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF Wide Band Amplifier
 
 


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2SC5631
2
绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
集电级 至 根基 电压 V
CBO
15 V
集电级 至 发射级 电压 V
CEO
6V
发射级 至 根基 电压 V
EBO
1.5 V
集电级 电流 I
C
80 毫安
集电级 电源 消耗 Pc 800* mW
接合面 温度 Tj 150
°
C
存储 温度 Tstg –55 至 +150
°
C
* 当 使用 alumina 陶瓷的 板 (12.5 x 20 x 0.7 mm)
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
集电级 至 根基 损坏
电压
V
(br)cbo
15——V I
C
= 10
µ
一个 , i
E
= 0
集电级 截止 电流 I
CBO
——1
µ
AV
CB
= 12 v , i
E
= 0
集电级 截止 电流 I
CEO
——1 mAV
CE
= 6 v , r
=
发射级 截止 电流 I
EBO
——10
µ
AV
EB
= 1.5 v , i
C
= 0
直流 电流 转移 比率 h
FE
80 120 160 V V
CE
= 5 v , i
C
= 50 毫安
集电级 输出 电容 Cob 1.6 2.2 pF V
CB
= 5 v , i
E
= 0
f = 1 mhz
增益 带宽 产品 f
T
8 11 GHz V
CE
= 5 v , i
C
= 50 毫安
f = 1 ghz
电源 增益 PG 7 10 dB V
CE
= 5 v , i
C
= 50 毫安
f = 900 mhz
噪音 图示 NF 1.2 1.9 dB V
CE
= 5 v , i
C
= 5 毫安
f = 900 mhz
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