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资料编号:907949
 
资料名称:2SC5784
 
文件大小: 178K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
 
 


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2SC5784
2001-12-17
3
集电级 电流 I
C
(一个)
根基-发射级 饱和 电压
V
是 (sat)
(v)
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
I
C
– v
CE
集电级 电流 I
C
(一个)
集电级 电流 I
C
(一个)
h
FE
– i
C
直流 电流 增益 h
FE
集电级 电流 I
C
(一个)
V
ce (sat)
– i
C
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
(v)
集电级 电流 I
C
(一个)
V
是 (sat)
– i
C
根基-发射级 电压 v
(v)
I
C
– v
0.001 0.01 0.1 1 10
10
0.1
1
一般 发射级
I
C
/i
B
=
50
单独的 nonrepetitive
脉冲波
25
55
Ta
=
100°C
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
0.5
1
1.5
I
B
=
2 毫安
一般 发射级
Ta
=
25°C
单独的 nonrepetitive 脉冲波
4
6
8 10 20 15
0
0
0.3
0.3 0.6 0.9 1.5
0.6
0.9
1.2
1.5
一般 发射级
V
CE
=
2 v
单独的 nonrepetitive
脉冲波
Ta
=
100°C
55
25
1.2
0.001
1
0.1
0.01
0.001 0.01 0.1 1 10
一般 发射级
I
C
/i
B
=
50
单独的 nonrepetitive 脉冲波
25
55
Ta
=
100°C
10
10000
1000
100
0.001 0.01 0.1 1 10
一般 发射级
V
CE
=
2 v
单独的 nonrepetitive 脉冲波
25
Ta
=
100°C
55
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