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资料编号:907949
资料名称:
2SC5784
文件大小: 178K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC5784
2001-12-17
3
集电级 电流
I
C
(一个)
根基-发射级 饱和 电压
V
是 (sat)
(v)
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
I
C
– v
CE
集电级 电流
I
C
(一个)
集电级 电流
I
C
(一个)
h
FE
– i
C
直流 电流 增益 h
FE
集电级 电流
I
C
(一个)
V
ce (sat)
– i
C
集电级-发射级 饱和 电压
V
ce (sat)
(v)
集电级 电流
I
C
(一个)
V
是 (sat)
– i
C
根基-发射级 电压 v
是
(v)
I
C
– v
是
0.001 0.01
0.1
1
10
10
0.1
1
一般 发射级
I
C
/i
B
=
50
单独的 nonrepetitive
脉冲波
25
−
55
Ta
=
100°C
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
0.5
1
1.5
I
B
=
2 毫安
一般 发射级
Ta
=
25°C
单独的 nonrepetitive 脉冲波
4
6
8 10 20
15
0
0
0.3
0.3 0.6 0.9
1.5
0.6
0.9
1.2
1.5
一般 发射级
V
CE
=
2 v
单独的 nonrepetitive
脉冲波
Ta
=
100°C
−
55
25
1.2
0.001
1
0.1
0.01
0.001 0.01
0.1
1
10
一般 发射级
I
C
/i
B
=
50
单独的 nonrepetitive 脉冲波
25
−
55
Ta
=
100°C
10
10000
1000
100
0.001 0.01
0.1
1
10
一般 发射级
V
CE
=
2 v
单独的 nonrepetitive 脉冲波
25
Ta
=
100°C
−
55
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