STK10C68
九月 2003 9 文档 控制 # ml0006 rev 0.1
如果 这 stk10c68 是 在 一个
写
状态 在 这 终止 的
电源-向上
RECALL
, 这
SRAM
数据 将 是 corrupted.
至 帮助 避免 这个 situation, 一个 10k ohm 电阻
应当 是 连接 也 在 w
和 系统
V
CC
或者 在 e和 系统 v
CC
.
硬件 保护
这 stk10c68 提供 二 水平 的 保护 至
压制 inadvertent
STORE
循环. 如果 这 控制
信号 (e
, g, w和 ne) 仍然是 在 这
STORE
con-
dition 在 这 终止 的 一个
STORE
循环, 一个 第二
STORE
循环 将 不 是 started. 这
STORE
(或者
RECALL
)
将 是 initiated 仅有的 之后 一个 转变 在 任何 一个 的
这些 信号 至 这 必需的 状态. 在 增加 至
multi-触发 保护,
STORE
s 是 inhibited 当
V
CC
是 在下 4.0v, protecting 相反 inadvertent
STORE
s.
低 平均 起作用的 电源
这 stk10c68 牵引 significantly 较少 电流
当 它 是 cycled 在 时间变长 比 55ns. 图示 2
显示 这 relationship 在 i
CC
和
读
循环
时间. worst-情况 电流 消耗量 是 显示 为
两个都
CMOS
和
TTL
输入 水平 (商业的 tem-
perature 范围, v
CC
= 5.5v, 100% 职责 循环 在 碎片
使能). 图示 3 显示 这 一样 relationship 为
写
循环. 如果 这 碎片 使能 职责 循环 是 较少
比 100%, 仅有的 备用物品 电流 是 描绘 当 这
碎片 是 无能. 这 整体的 平均 电流 描绘
用 这 stk10c68 取决于 在 这 下列的 items:
1)
CMOS
vs.
TTL
输入 水平; 2) 这 职责 循环 的
碎片 使能; 3) 这 整体的 循环 比率 为 accesses;
4) 这 比率 的
读
s 至
写
s; 5) 这 运行
温度; 6) 这 v
CC
水平的; 和 7) i/o 加载.
图示 2: i
CC
(最大值) 读
0
20
40
60
80
100
50 100 150 200
循环 时间 (ns)
TTL
CMOS
平均 起作用的 电流 (毫安)
图示 3: i
CC
(最大值) 写
0
20
40
60
80
100
50 100 150 200
循环 时间 (ns)
TTL
CMOS
平均 起作用的 电流 (毫安)
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