AT89C52
4-74
图示 10.
verifying 这 flash 记忆
P1
p2.6
p3.6
p2.0 - p2.4
A0 - A7
地址.
ooooh/1fffh
看 FLASH
程序编制
模式 表格
3-24 MHz
A8 - A12
P0
+5V
p2.7
PGM 数据
(使用 10K
pullups)
V
IH
V
IH
ALE
p3.7
XTAL 2 EA
RST
PSEN
XTAL1
地
V
CC
AT89C52
图示 9.
程序编制 这 flash 记忆
P1
p2.6
p3.6
p2.0 - p2.4
A0 - A7
地址.
ooooh/1fffh
看 FLASH
程序编制
模式 表格
3-24 MHz
A8 - A12
P0
+5V
p2.7
PGM
DATA
PROG
v/v
IH PP
V
IH
ALE
p3.7
XTAL2 EA
RST
PSEN
XTAL
1
地
V
CC
AT89C52
flash 程序编制 和 verification 特性
T
一个
= 0°c 至 70°c, v
CC
= 5.0
±
10%
便条: 1. 仅有的 使用 在 12-volt 程序编制 模式.
标识 参数 最小值 最大值 单位
V
PP
(1)
程序编制 使能 电压 11.5 12.5 V
I
PP
(1)
程序编制 使能 电流 1.0 毫安
1/t
CLCL
振荡器 频率 3 24 MHz
t
AVGL
地址 建制 至 prog低 48t
CLCL
t
GHAX
地址 支撑 之后 prog 48t
CLCL
t
DVGL
数据 建制 至 prog低 48t
CLCL
t
GHDX
数据 支撑 之后 prog 48t
CLCL
t
EHSH
p2.7 (使能) 高 至 v
PP
48t
CLCL
t
SHGL
V
PP
建制 至 prog低 10
µ
s
t
GHSL
(1)
V
PP
支撑 之后 prog 10
µ
s
t
GLGH
PROG宽度 1 110
µ
s
t
AVQV
地址 至 数据 有效的 48t
CLCL
t
ELQV
使能低 至 数据 有效的 48t
CLCL
t
EHQZ
数据 float 之后 使能 0 48t
CLCL
t
GHBL
PROG高 至 busy低 1.0
µ
s
t
WC
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