绝对 最大 比率
(便条 3)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 6.0v
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
输入 电压 −0.3v 至 V
DD
+ 0.3v
电源 消耗 (便条 4) 内部 限制
静电释放 Susceptibility (便条 5) 3500V
静电释放 Susceptibility (便条 6) 250V
接合面 温度 150˚C
焊接 信息 (便条 1)
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒) 215˚C
Infrared (15 秒) 220˚C
热的 阻抗
θ
JC
(msop) 56˚c/w
θ
JA
(msop) 210˚c/w
θ
JC
(sop) 35˚c/w
θ
JA
(sop) 170˚c/w
θ
JC
(插件) 37˚c/w
θ
JA
(插件) 107˚c/w
运行 比率
温度 范围
T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
−40˚C
≤
T
一个
≤
85˚C
供应 电压 2.7v
≤
V
DD
≤
5.5v
便条 1:
看 一个-450 “Surface 挂载 和 它们的 影响 在 产品 reli-
ability” 为 其它 方法 的 焊接 表面 挂载 设备.
电的 特性
(注释 2, 3)
这 下列的 规格 应用 为 V
DD
= 5V 除非 否则 指定. 限制 应用 为 T
一个
= 25c.
标识 参数 情况 LM4881 单位 (限制)
典型值
(便条 7)
限制
(便条 8)
V
DD
电源 供应 电压 2.7 V (最小值)
5.5 V (最大值)
I
DD
安静的 电流 V
在
= 0v, I
O
= 0A 3.6 6.0 毫安 (最大值)
I
SD
关闭 电流 V
PIN1
=V
DD
0.7 5 µA (最大值)
V
OS
补偿 电压 V
在
= 0V 5 50 mV (最大值)
P
O
输出 电源 THD = 0.1
%
(最大值);f=1khz;
R
L
=8
Ω
200 125 mW (最小值)
R
L
=16
Ω
150 mW
R
L
=32
Ω
85 mW
THD+N=10
%
;f=1khz;
R
L
=8
Ω
300 mW
R
L
=16
Ω
200 mW
R
L
=32
Ω
110 mW
THD+N 总的 调和的 扭曲量 +
噪音
R
L
=16
Ω
,p
O
= 120 mwrms; 0.025
%
R
L
=32
Ω
,p
O
= 75 mwrms;
f=1kHz
0.02
%
PSRR C
B
= 1.0 µf, V
波纹
= 200
mvrms, f = 120Hz
50 dB
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