IS42S16400B
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13
rev. D
02/10/05
交流 电的 特性
(1,2,3)
-6 -7
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
t
CK3
时钟 循环 时间
CAS
latency = 3 6 — 7 — ns
t
CK2
CAS
latency = 2 10 — 10 — ns
t
AC3
进入 时间 从 clk
(4)
CAS
latency = 3 — 6 — 6 ns
t
AC2
CAS
latency = 2 — 9 — 9 ns
t
CHI
clk 高 水平的 宽度 2 — 2.5 — ns
t
CL
clk 低 水平的 宽度 2 — 2.5 — ns
t
OH3
输出 数据 支撑 时间
CAS
latency = 3 2.5 — 2.5 — ns
t
OH2
CAS
latency = 2 2.5 — 2.5 — ns
t
LZ
输出 低 阻抗 时间 0 — 0 — ns
t
HZ3
输出 高 阻抗 时间
(5)
CAS
latency = 3 — 6 — 6 ns
t
HZ2
CAS
latency = 2 — 9 — 9 ns
t
DS
输入 数据 建制 时间 1.5 — 1.5 — ns
t
DH
输入 数据 支撑 时间 0.8 — 0.8 — ns
t
作
地址 建制 时间 1.5 — 1.5 — ns
t
AH
地址 支撑 时间 0.8 — 0.8 — ns
t
CKS
cke 建制 时间 1.5 — 1.5 — ns
t
CKH
cke 支撑 时间 0.8 — 0.8 — ns
t
CKA
cke 至 clk 恢复 延迟 时间
1CLK+3
—
1CLK+3
—ns
t
CS
command 建制 时间 (
CS
,
RAS
,
CAS
,
我们
, dqm) 1.5 — 2.0 — ns
t
CH
command 支撑 时间 (
CS
,
RAS
,
CAS
,
我们
, dqm) 0.8 — 1 — ns
t
RC
command 时期 (ref 至 ref / act 至 act) 60 — 63 — ns
t
RAS
command 时期 (act 至 前) 35
50,000
37
50,000
ns
t
RP
command 时期 (前 至 act) 16 — 16 — ns
t
RCD
起作用的 command 至 读 / 写 command 延迟 时间 16 — 16 — ns
t
RRD
command 时期 (act [0] 至 act[1]) 14 — 14 — ns
t
DPL3
输入 数据 至 precharge
CAS
latency = 3 2CLK — 2CLK — ns
command 延迟 时间
t
DPL2
CAS
latency = 2 2CLK — 2CLK — ns
t
DAL3
输入 数据 至 起作用的 / refresh
CAS
latency = 3
2CLK+t
RP
—
2CLK+t
RP
—ns
command 延迟 时间 (在 自动-precharge)
t
DAL2
CAS
latency = 2
2CLK+t
RP
—
2CLK+t
RP
—ns
t
T
转变 时间 1 10 1 10 ns
t
REF
refresh 循环 时间 (4096) — 64 — 64 ms
注释:
1. 当 电源 是 第一 应用, 记忆 运作 应当 是 started 100 µs 之后 v
DD
和 v
DDQ
reach 它们的 stipulated 电压.
也 便条 那 这 电源-在 sequence 必须 是 executed 在之前 开始 记忆 运作.
2. 量过的 和 t
T
= 1 ns.
3. 这 涉及 水平的 是 1.4 v 当 测量 输入 信号 定时. 上升 和 下降 时间 是 量过的 在 v
IH
(最小值.) 和 v
IL
(最大值.).
4. 进入 时间 是 量过的 在 1.4v 和 这 加载 显示 在 这 图示 在下.
5. 这 时间 t
HZ
(最大值.) 是 定义 作 这 时间 必需的 为 这 输出 电压 至 转变 用 ± 200 mv 从 v
OH
(最小值.) 或者 v
OL
(最大值.)
当 这 输出 是 在 这 高 阻抗 状态.
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