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资料编号:924053
 
资料名称:ISL6144IV
 
文件大小: 404K
   
说明
 
介绍:
High Voltage ORing MOSFET Controller
 
 


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10
这 反转 电流 顶峰 能 是 estimated 作:
V
SD
是 这 场效应晶体管 向前 电压 漏出
V
os(hs)
是 这 电压 补偿 的 hs 比较器
这 持续时间 的 这 反转电流 脉冲波 是 few hundred
nanoseconds 和 是 正常情况下 保持 好 在下 电流 比率
的 这 oring 场效应晶体管.
减少 这 值 的 v
th(hs)
结果 在 更小的 反转
电流 振幅 和 减少 过往旅客 在 这 一般
总线 输出 电压.
hvref 和 竞赛 电容 值
hvref 电容 (c1): 这个电容 是 需要 至
stabilize 这 hv
ref(vz)
供应 和 一个 值 的 150nf 是
sufficient. 增加 这个 值 将 结果 在 门 转变 在 时间
增加.
竞赛 电容 (c2):放置 在 vout 和 竞赛
管脚 至 提供 过滤 和 解耦. 一个 10nf 电容 是
足够的 为 大多数 具体情况.
.
I
reverseP
V
TH HS
()
V
SD
V
OS HS
()
++
r
DS
()
-------------------------------------------------------------------------
在哪里
;=
(eq. 7)
典型 效能 曲线 和 波形
图示 6. 承担 打气 电压 (v
GQP
) vs
温度
图示 7. reg. 放大 向前 规章制度
图示 8. i 偏差 电流 vs 温度 图示 9. vset 电压
7
8
9
10
11
12
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
温度 (
o
c)
承担 打气 电压 (v)
10V
48V
75V
12V
reg 放大 向前 规章制度 (mv)
12
16
20
24
28
32
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
温度 (
o
c)
48V
75V
10 &放大; 12v
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
偏差 电流 (毫安)
48V
75V
12V
10V
12V
温度 (
o
c)
5
5.1
5.2
5.3
5.4
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120
温度 (
o
c)
vset 电压 (v)
48V
75V
10 &放大; 12v
ISL6144
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