5
绝对 maximum 比率
T
一个
= 25
o
C
热的 信息
vin, vout . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 +100v
门 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 vin+12v
hvref. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-0.3v 至 vin- 5v
竞赛 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 vout
vset . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至 vout-5v
故障
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -0.3v 至16V
静电释放 分类 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 类 2
运行 情况
供应 电压 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +10 至 +75v
温度 范围 (t
一个
) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40°c 至 +105°c
热的 阻抗 (典型, 便条 1)
θ
JA
(°c/w)
θ
JC
(°c/w)
tssop 包装 (便条 1) . . . . . . . . . . 90 n/一个
qfn 包装 (注释 3, 4). . . . . . . . . . 35 5
最大 接合面 温度 (塑料 包装) . . . . . . . . 150°C
最大 存储 温度 范围 . . . . . . . . . . -65°c 至 150°c
最大 含铅的 温度 (焊接 10s) . . . . . . . . . . . . . 300°C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 在 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 damage 至 这 设备. 这个 是 一个 压力 only 比率 和 运作 的 这
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
注释:
1.
θ
JA
是 量过的 和 这 组件 挂载 在 一个 高 有效的 thermal conductivity 测试 板 在 自由 空气. (看 tech brief, #tb379.1 为
详细信息.)
2. 所有 电压 是 相关的 至 地, 除非 否则 指定.
3. 为
θ
JC
, 这 "情况 温度" location 是 这 中心 的 这 exposed metal 垫子 在 这 包装 underside.
4.
θ
JA
是 量过的 在 自由 空气 和 这 组件 挂载 在 一个 高 effective 热的 conductivity 测试 板 和 “die attach” features. (看 tech
brief, #tb379 为 详细信息.)
电的 规格
vin = 48v, t
一个
= -40
o
c 至 105
o
c, 除非 否则 指定
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
偏差 “v
在
”
por rising POR
L2H
V
在
rising 至 v
门
> v
在
+7.5v 10 - - V
12v 偏差 电流 I
12V
V
在
= 12v, v
门
= v
在
+ v
GQP
-3.5-毫安
48v 偏差 电流 I
48V
V
在
= 48v, v
门
= v
在
+ v
GQP
-4.5-毫安
75v 偏差 电流 I
75V
V
在
= 75v, v
门
= v
在
+ v
GQP
-5-毫安
门
承担 打气 电压 V
GQP
V
在
= 12v 至 75v VIN+9 vin+10.5 VIN+12 V
门 低 电压 水平的 V
GL
V
在
- v
输出
< 0v -0.3 VIN vin+0.5 V
低 拉 向下 电流 I
PDL
*
cgs = 39nf, i
PDL
= cgs*dvgs/t
tofs
-5-毫安
高 拉 向下 电流 I
PDH
*
cgs = 39nf, i
PDH
= cgs*dvgs/t
toff
-2-一个
慢 转变-止 时间 T
toffs
cgs = 39nf - - 100 µs
快 转变-止 时间 T
toff
转变-止 从 v
门
= v
在
+V
GQP
至 v
在
+1v 和
cgs = 39nf (包含 hs 比较器 延迟 时间)
- 250 300 ns
开始 向上 “turn-on” 时间 T
在
转变-在 从 v
门
= v
在
至 v
在
+ 7.5v 在 39nf - 1 - ms
门 转变-在 电流 I
在
*
V
在
= 10v 至 75v - 1 - 毫安
控制 和 规章制度 i/o
hr 放大器 向前 电压
规章制度
V
fwd_hr
isl6144 控制 电压 横过 场效应晶体管 vds 至
V
fwd_hr
在 静态的 向前 运作 在 负载
结果 在 i*r
ds(在)
< v
fwd_hr
10 20 30 mV
hs 竞赛 externally
可编程序的 门槛
V
th(hs)
*
externally 可编程序的 门槛 为 噪音
敏锐的 (系统 dependant), 典型 0.05 至
0.3v
0 0.05 5.3 V
hs 比较器 补偿 电压 V
os(hs)
-40 0 25 mV
竞赛 输入 电流 (偏差
电流)
I
竞赛
-1.1-µa
ISL6144
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