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资料编号:924053
 
资料名称:ISL6144IV
 
文件大小: 404K
   
说明
 
介绍:
High Voltage ORing MOSFET Controller
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
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这 慢 转变 止 是 达到 在 二 stages. 这 第一 平台
开始 和 一个 慢 转变 止 acti在 和 lasts 为 向上 至 20µs. 这
门 拉 向下 电流 为 这 first 平台 是 2ma. 这 第二
慢 转变 止 平台 完成 这 门 转变 止 和 一个 10ma
拉 向下 电流. 这 20µs 延迟 过滤 输出 任何 false trip 止
预定的 至 噪音 或者 glitches 那
线条.
这 门 转变 在 和 门 转变 止 驱动器 有 一个 50khz 过滤
至 减少 这 变化 在 场效应晶体管 向前 电压 漏出 (和 场效应晶体管
门 电压) 预定的 至 正常的smps 系统 切换 noises
(典型地 高等级的 比 50khz). 这些 过滤 做 不 影响 这
总的 转变 在 或者 慢 转变 止 时间.
特定的 系统 设计 预防措施 必须 是 带去 至 insure
那 非 交流 mains related 低 频率 噪音 将 是 呈现
在 这 输入 或者 输出 的 isl6144. 过滤 和 多样的 电源
转换 stages, 这个 是 部分 的 任何 distributed 直流
电源 系统, 正常情况下 filter 输出 所有 此类 噪音.
hs 比较器 - 快 转变 止
那里 是 一个 高 速 (hs) comparator 使用 为 快 转变-
止 的 这 oring 场效应晶体管至 保护 这 一般 总线
相反 hard 短的 faults 在 一个sourcing 电源 供应 输出
(谈及 至 图示 3).
在 正常的 运作 这 门 的 这 oring 场效应晶体管 是
承担 pumped 至 一个 电压 那 取决于 在 whether 它 是 在
这 20mv 规章制度 模式 或者 全部地 增强. 在 这个 情况:
如果 一个 dead 短的 故障 occurs 在 这 sourcing 供应, 它 导致
V
至 漏出 非常 quickly 当 v
输出
是 不 影响 作 更多
比 一个 供应 是 paralleled. 在 这 absence 的 这
isl6144 符合实际, 一个 非常 高 反转 电流 将 流动
从 输出 至 这 输入 供应 拉 向下 这 一般
直流 总线, 结果 在 一个 整体的“catastrophic”系统 失败.
这 故障 能 是 发现 和 分开的 用 使用 这 isl6144
和 一个 n-频道 oring 场效应晶体管. v
是 对照的 至
V
竞赛
, 和 whenever:
这 快 转变 止 mechanism 将 是 使活动 和 这
场效应晶体管(s) 将 是 转变 止 非常 quickly. 这 速 的 这个
转变 止 取决于 在 这 数量 的 相等的 门 加载
电容. 为 一个 相等的cgs = 39nf. 这 门 转变
止 时间 是 <300ns 和 门 拉 向下 电流 是 2a.
这 水平的 的 v
th(hs)
(hs 比较器 trip 水平的) 是 可调整的
用 意思 的 外部 电阻器 r1 和 r2 至 一个 值
theoretically ranging 从 0-5.3v. 典型 值 是 0.05v
至 0.3v. 这个 是 完毕 在 顺序 至 避免 false 转变 止 预定的 至
噪音 或者 minor glitches 呈现 在 这 直流 切换 电源
供应. 这 门槛 电压 是 计算 作:
在哪里 v
ref(vset)
是 一个 内部的 齐纳 涉及 (5.3v
典型) 在 vout 和 vset管脚. r1 和r2 必须 是
选择 此类 那 它们的 总 是 关于 50k
. 一个 外部
提供 高 频率 解耦. 这 hs 比较器 有
一个 内部的 延迟 时间 在 这 顺序 的 50ns 这个 是 部分 的
这 <300ns 整体的 转变 止时间 规格 (和
cgs=39nf).
门 逻辑 和 承担 打气
这 ic 有 二 承担 pumps:
这 第一 承担 打气 发生 这 floating 门 驱动 为
这 n-频道 场效应晶体管. 这 第二 承担 打气 输出
电流 opposes 这 拉 向下 电流 的 这 慢 转变 止
晶体管 至 提供 规章制度 的 这 门 电压.
这 存在 的 这 承担 打气 准许 这 使用 的 一个
n-频道 场效应晶体管 和 一个floating 门 驱动. 这
n-频道 mosfets 正常情况下 有 更小的 r
ds(在)
(不 至
mention 费用 节省) 对照的 至 p-频道 mosfets,
准许 更远 减少 的 传导 losses.
偏差 &放大; ref
偏差 电流 为 这 二 内部的 齐纳 供应 (hvref
和 vset) 是 提供 用 这个 块. 这个 块 也
提供 一个 0.6v 带宽-间隙涉及 使用 在 这 uv
发现 电路.
欠压 比较器
这 欠压 比较器比较 hvref 至 0.6v
内部的 涉及. once 它 falls 在下 这个 水平的 这 uv
电路系统 pulls 和 holds 向下 这 门 管脚 作 长 作 这
hvref uv 情况 是 present. 电压 在 两个都 vin 和
hvref 管脚 追踪 各自 其它.
V
输出
V
I
输出
r
ds(在
)
=
(eq. 1)
图示 3. hs 比较器
-
+
hv 通过
VOUT
竞赛
VSET
VIN
HS
2A*
VIN
驱动器
偏差
CLAMP
&放大;
V
th(hs)
5.3v
R1
R2
C2
SOURCING
供应
至 shared
加载
竞赛
r1 + r2 = 50k
V
V
竞赛
<
V
竞赛
V
输出
V
TH
HS
()
=
在哪里
;
V
th(hs)
是 定义 在下
;
(eq. 2)
V
TH HS
()
R1
R1 R2
+
()
---------------------------
V
REF VSET
()
=
(eq. 3)
ISL6144
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