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LTC1149
ltc1149-3.3/ltc1149-5
applicatio s i 为 atio
WUU U
inductor 核心 选择
once 这 最小 值 为 l 是 知道, 这 类型 的
inductor 必须 是 选择. 高 效率 转换器
一般地 不能 afford 这 核心 丧失 建立 在 低 费用
powdered iron cores, forcing 这 使用 的 更多 expensive
ferrite, molypermalloy, 或者 kool m
µ
®
cores. 真实的 核心
丧失 是 独立 的 核心 大小 为 一个 fixed inductor 值,
但是 它 是 非常 依赖 在 电感 选择. 作 induc-
tance 增加, 核心 losses go 向下. unfortunately,
增加 电感 需要 更多 转变 的 线 和
因此 铜 losses 增加.
ferrite 设计 有 非常 低 核心 丧失, 所以 设计 goals
能 concentrate 在 铜 丧失 和 阻止 饱和.
ferrite 核心 材料 saturates “hard,” 这个 意思 那
电感 collapses abruptly 当 这 顶峰 设计 cur-
rent 是 超过. 这个 结果 在 一个 abrupt 增加 在
inductor 波纹 电流 和 consequent 输出 电压
波纹 这个 能 导致 burst 模式
运作 至 是 falsely
triggered 在 这 ltc1149 序列. 做 不 准许 这 核心 至
saturate!
molypermalloy (从 磁性材料, inc.) 是 一个 非常 好的, 低
丧失 核心 材料 为 toroids, 但是 它 是 更多 expensive 比
ferrite. 一个 合理的 compromise 从 这 一样 manu-
facturer 是 kool m
µ
. toroids 是 非常 空间 效率高的,
特别 当 你 能 使用 一些 layers 的 线.
因为 它们 一般地 lack 一个 bobbin, 挂载 是 更多
difficult. 不管怎样, 新 表面 挂载 设计 有
从 coiltronics 做 不 增加 这 height significantly.
p-频道 场效应晶体管 选择
二 外部 电源 mosfets 必须 是 选择 为 使用
和 这 ltc1149 序列: 一个 p-频道 场效应晶体管 为 这
主要的 转变, 和 一个 n-频道 场效应晶体管 为 这 synchro-
nous 转变.
这 最小 输入 电压 确定 whether 标准
门槛 或者 逻辑-水平的 门槛 mosfets 必须 是 使用.
为 v
在
> 8v, 标准 门槛 mosfets (v
gs(th)
< 4v)
将 是 使用. 如果 v
在
是 预期的 至 漏出 在下 8v, 逻辑-
水平的 门槛 mosfets (v
gs(th)
< 2.5v) 是 strongly
推荐. 当 逻辑-水平的 mosfets 是 使用, 这
绝对 最大 v
GS
比率 为 这 mosfets 必须 是
更好 比 这 ltc1149 序列 内部的 调整器
电压 v
CC
.
选择 criteria 为 这 p-频道 场效应晶体管 包含 这
在-阻抗 r
ds(在)
, 反转 转移 电容 c
RSS
,
输入 电压 和 最大 输出 电流. 当 这
ltc1149 是 运行 在 持续的 模式, 这 职责 循环
为 这 p-频道 场效应晶体管 是 给 用:
p-ch 职责 循环 =
V
输出
V
在
这 p-频道 场效应晶体管 消耗 在 最大 输出
电流 是 给 用:
p-ch p
D
=
V
OUT
V
在
+ k(v
在
)
2
(i
最大值
)(c
RSS
)(f)
(i
最大值
)
2
(1 +
∂
P
) r
ds(在)
在哪里
∂
是 这 温度 dependency 的 r
ds(在)
和 k
是 一个 常量 related 至 这 门 驱动 电流. 便条 这 二
distinct 条款 在 这 等式. 这 第一 给 这 i
2
R
losses, 这个 是 最高的 在 低 输入 电压, 当 这
第二 给 这 转变 losses, 这个 是 最高的 在
高 输入 电压. 为 v
在
< 24v, 这 高 电流
效率 一般地 改进 和 大 mosfets
(虽然 门 承担 losses begin eating 在 这 增益.
看 效率 仔细考虑). 为 v
在
> 24v, 这 transi-
tion losses 迅速 增加 至 这 要点 那 这 使用 的 一个
高等级的 r
ds(在)
设备 和 更小的 c
RSS
的确 提供
高等级的 效率. 这个 是 illustrated 在 这 设计 例子
部分.
这 期 (1 +
∂
) 是 一般地 给 为 一个 场效应晶体管 在 这
表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs 温度 曲线, 但是
∂
= 0.007/
°
c 能 是 使用 作 一个 approximation 为 低
电压 mosfets. c
RSS
是 通常地 指定 在 这 场效应晶体管
电的 特性. 这 常量 k 是 更 harder 至
管脚 向下, 但是 k = 5 能 是 使用 为 这 ltc1149 序列 至
估计 这 相关的 contributions 的 这 二 条款 在 这
p-频道 消耗 等式.
n-频道 场效应晶体管 和 d1 选择
这 一样 输入 电压 constraints 应用 至 这 n-频道
场效应晶体管 作 至 这 p-频道 和 关于 至 当 逻辑-
水平的 设备 是 必需的. 不管怎样, 这 消耗 calcu-
lation 是 quite 不同的. 这 职责 循环 和 消耗 为
kool m
µ
是 一个 注册 商标 的 磁性材料, 公司
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