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LTC4055
4055p
charging 从 usb, i
BAT
vs v
BAT
charging 从 usb, 低 电源,
I
BAT
vs v
BAT
欠压 电流 限制,
charging 从 v
在
, i
BAT
vs v
在
典型 perfor 一个 ce characTERISTICS
UW
V
BAT
(v)
0
0
I
BAT
(毫安)
100
300
400
500
1
2
2.5 4.5
4055 g13
200
0.5 1.5
3
3.5
4
600
V
在
= 5v
V
输出
= 非 加载
R
PROG
= 100k
R
CLPROG
= 100k
hpwr = 1
V
BAT
(v)
0
0
I
BAT
(毫安)
20
60
80
100
1
2
2.5 4.5
4055 g14
40
0.5 1.5
3
3.5
4
V
在
= 5v
V
输出
= 非 加载
R
PROG
= 100k
R
CLPROG
= 100k
hpwr = 0
V
在
(v)
4.260
ibat (一个)
0.8
1.0
1.2
4.420
4055 g15
0.6
0.4
0
4.300
4.340
4.380
0.2
1.6
1.4
R
PROG
= 34k
R
PROG
= 100
Ω
R
PROG
= 100k
hpwr = 0
R
PROG
= 50k
完美的 二极管 向前 电压 vs
电流 和 温度
完美的 二极管 向前 电压 和
阻抗 vs 电流
完美的 二极管 和 肖特基 二极管
向前 电压 vs 电流
承担 电流 vs 温度
(热的 规章制度)
温度 (
°
c)
–50
0
I
BAT
(一个)
0.1
0.3
0.4
0.5
1.0
0.7
0
50
75
4055 g16
0.2
0.8
0.9
0.6
–25
25
100
125
V
在
= 5v
V
BAT
= 3.5v
θ
JA
= 37
°
c/w
R
PROG
= 50k
R
PROG
= 100k
V
FWD
(mv)
0
I
输出
(毫安)
600
800
1000
160
4055 g17
400
200
500
700
900
300
100
0
4020
8060
120 140 180
100
200
V
BAT
= 3.5v
V
在
= 0v
–50
°
C
125
°
C
25
°
C
0
°
C
75
°
C
V
FWD
(mv)
0
I
输出
(毫安), r
DIO
(m
Ω
)
600
800
1000
160
4055 g18
400
200
500
700
900
300
100
0
4020
8060
120 140 180
100
200
V
BAT
= 3.5v
V
在
= 0v
R
FWD
R
dio(在)
V
FWD
(mv)
0
0
I
输出
(毫安)
100
300
400
500
1000
700
100
200
250 450
4055 g19
200
800
900
600
50 150
300
350
400
V
BAT
= 3.5v
V
在
= 0v
肖特基
输入 连接 波形
V
在
5v/div
V
输出
5v/div
I
在
0.5a/div
V
BAT
= 3.5v
I
输出
= 100ma
I
BAT
0.5a/div
1ms/div
4055 g20
输入 disconnect 波形
V
在
5v/div
V
输出
5v/div
I
在
0.5a/div
I
BAT
0.5a/div
1ms/div
4055 g22
V
BAT
= 3.5v
I
输出
= 100ma
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