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1997 2-11
MIC2558 Micrel
2
绝对 最大 比率
(注释 1 和 2)
电源 消耗, t
包围的
≤
25
°
C
SOIC 800 mw
减额 factors (至 包围的)
SOIC 4 mw/
°
C
存储 温度 –65
°
c 至 +150
°
C
运行 温度 (消逝) 125
°
C
运行 温度 (包围的) –40
°
c 至 +85
°
C
含铅的 温度 (5 秒) 260
°
C
V
DD
V
DD
V
pp 在
EN1
1
V
pp out1
V
CC1
V
pp 在
hiz/
低
1
EN0
1
V
DD
V
DD
V
DD
3
1
13
12
14
11
V
DD
V
pp 在
EN1
2
地
V
pp out2
V
CC2
hiz/
低
2
EN0
2
V
DD
V
DD
V
DD
5
6
10
9
8
V
pp 在
V
DD
4
7
供应 电压, v
pp 在
15V
V
CC
7.5v
V
DD
7.5v
逻辑 输入 电压 –0.3v tov
DD
输出 电流 (各自 输出)
V
pp 输出
= 12v 600mA
V
pp 输出
= v
CC
250mA
逻辑 块 图解

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1997 2-11 MIC2558 Micrel 2 绝对最大比率 (注释 1 和 2) 电源消耗, t 包围的 ≤ 25 ° C SOIC 800 mw 减额 factors (至包围的) SOIC 4 mw/ ° C 存储温度 –65 ° c 至 +150 ° C 运行温度 (消逝) 125 ° C 运行温度 (包围的) –40 ° c 至 +85 ° C 含铅的温度 (5 秒) 260 ° C V DD V DD V pp 在 EN1 1 V pp out1 V CC1 V pp 在 hiz/ 低 1 EN0 1 V DD V DD V DD 3 1 13 12 14 11 V DD V pp 在 EN1 2 地 V pp out2 V CC2 hiz/ 低 2 EN0 2 V DD V DD V DD 5 6 10 9 8 V pp 在 V DD 4 7 供应电压, v pp 在 15V V CC 7.5v V DD 7.5v 逻辑输入电压 –0.3v tov DD 输出电流 (各自输出) V pp 输出 = 12v 600mA V pp 输出 = v CC 250mA 逻辑块图解

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