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2004 8月 05 5
飞利浦 半导体 产品 规格
pnp 电阻-配备 晶体管;
r1 = 47 k
Ω
, r2 = 47 k
Ω
pdta144e 序列
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
=
−
50 v; i
E
=0
−−−
100 nA
I
CEO
集电级-发射级 截-止 电流 V
CE
=
−
30 v; i
B
=0
−−−
1
µ
一个
V
CE
=
−
30 v; i
B
= 0; t
j
= 150
°
C
−−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=
−
5 v; i
C
=0
−−−
90
µ
一个
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=
−
5 v; i
C
=
−
5mA 80
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和 电压 I
C
=
−
10 毫安; i
B
=
−
0.5 毫安
−−−
150 mV
V
i(止)
输入-止 电压 I
C
=
−
100
µ
一个; v
CE
=
−
5V
−−
1.2
−
0.8 V
V
i(在)
输入-在 电压 I
C
=
−
2 毫安; v
CE
=
−
0.3 V
−
3
−
1.6
−
V
R1 输入 电阻 33 47 61 k
Ω
电阻 比率 0.8 1 1.2
C
c
集电级 电容 I
E
=i
e
= 0; v
CB
=
−
10 v; f = 1 MHz
−−
3pF
R2
R1
--------

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2004 8月 05 5 飞利浦半导体产品规格 pnp 电阻-配备晶体管; r1 = 47 k Ω , r2 = 47 k Ω pdta144e 序列特性 T amb =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 标识参数情况最小值典型值最大值单位 I CBO 集电级-根基截-止电流 V CB = − 50 v; i E =0 −−− 100 nA I CEO 集电级-发射级截-止电流 V CE = − 30 v; i B =0 −−− 1 µ 一个 V CE = − 30 v; i B = 0; t j = 150 ° C −−− 50 µ 一个 I EBO 发射级-根基截-止电流 V EB = − 5 v; i C =0 −−− 90 µ 一个 h FE 直流电流增益 V CE = − 5 v; i C = − 5mA 80 −− V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = − 10 毫安; i B = − 0.5 毫安 −−− 150 mV V i(止) 输入-止电压 I C = − 100 µ 一个; v CE = − 5V −− 1.2 − 0.8 V V i(在) 输入-在电压 I C = − 2 毫安; v CE = − 0.3 V − 3 − 1.6 − V R1 输入电阻 33 47 61 k Ω 电阻比率 0.8 1 1.2 C c 集电级电容 I E =i e = 0; v CB = − 10 v; f = 1 MHz −− 3pF R2 R1 --------

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