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资料编号:93925
资料名称:
2SC5006-T1
文件大小: 62.03K
说明
:
介绍
:
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 3 PINS ULTRA SUPER MINI MOLD
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SC5006
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
20
0
10
1.00.5
总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
P
T
– 总的 电源 消耗 – mw
150
0
50
T
一个
– 包围的 温度 – ˚c
15010050
100
200
0.5
10
505
25
0
510
20
15
10
5
V
CE
= 3 v
I
B
= 160 一个
µ
140 一个
µ
120 一个
µ
100 一个
µ
80 一个
µ
60 一个
µ
40 一个
µ
20 一个
µ
201021
100
20
50
V
CE
= 3 v
14
0.5
0
505
10
0
0.5
100
8
6
4
2
201021
6
2
4
V
CE
= 3 v
f = 1 gh
Z
5020105
12
100
8
10
12
V
CE
= 3 v
f = 1 gh
Z
集电级 电流 vs.
根基 至 发射级 电压
集电级 电流 vs.
集电级 至 发射级 电压
直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
增益 带宽 产品 vs.
集电级 电流
嵌入 电源 增益 vs.
集电级 电流
I
C
– 集电级 电流 – mah
FE
– 直流 电流 增益
f
T
– 增益 带宽 产品 – ghz
|S
21e
|
2
– 嵌入 电源 增益 – db
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
V
是
– 根基 至 发射级 电压 – v
I
C
– 集电级 电流 – mai
C
– 集电级 电流 – 毫安
V
CE
– 集电级 至 发射级 电压 – v
自由 空气
I
C
– 集电级 电流 – 毫安
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